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1. (WO2003071608) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT DE TYPE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/071608    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/001716
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 18.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.08.2003    
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : HOYA CORPORATION [JP/JP]; 7-5, Naka-Ochiai 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 161-0032 (JP) (Tous Sauf US).
KAWAZOE, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANI, Yuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YANAGITA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAWAZOE, Hiroshi; (JP).
KOBAYASHI, Satoshi; (JP).
TANI, Yuki; (JP).
YANAGITA, Hiroaki; (JP)
Mandataire : HAGIHARA, Makoto; Third Watanabe Building 9th, floor, 1-33, Shiba 2-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002/42154 19.02.2002 JP
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DEVICE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR TYPE
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT DE TYPE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Abrégé : front page image
(EN)A field-effect light-emitting device having a long-term reliability and a wide selectivity of emission wavelength. A light-emitting device of field-effect transistor type comprises an electron injection electrode, namely, a source electrode, a hole injection electrode, namely, a drain electrode, an emission activation member disposed between the source and drain electrodes in contact with both electrodes, and a field application electrode, namely, a gate electrode for producing electrons and holes in the emission activation member. The emission activation member is made of an organic semiconductor material having both electron and hole transporting capabilities.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent à effet de champ à fiabilité sur le long terme et à large sélectivité de longueur d'ondes d'émission. Ledit dispositif électroluminescent de type transistor à effet de champ comporte une électrode d'injection d'électrons, notamment une électrode de source, une électrode d'injection de trous, notamment une électrode de drain, un élément d'activation d'émission placé entre les électrodes de source et de drain en contact avec les deux électrodes, ainsi qu'une électrode d'application de champ, notamment une électrode de grille permettant de produire des électrons et des trous dans l'élément d'activation d'émission. Cet élément est constitué d'une matière semi-conductrice organique présentant des capacités de transport d'électrons et de trous.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)