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1. (WO2003071606) MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/071606    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/001201
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 05.02.2003
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP) (Tous Sauf US).
ARAI, Masatoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ARAI, Masatoshi; (JP)
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Taihei Bldg., 4-8, Utsubohonmachi 1-chome, Nishi-ku Osaka-shi, Osaka 550-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-044202 21.02.2002 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Impurity diffusion layer to serve as bit lines are formed in the surface region of a semiconductor substrate. Buried insulating films are formed over the impurity diffusion layer. A gate electrode of a memory element has first polycrystalline silicon films that are formed on a trap film and between buried insulating films and have a height approximately equal to that of the buried insulating films and second polycrystalline silicon films over the buried insulating films and first polycrystalline silicon films and adapted to electrically interconnect the first polycrystalline silicon films.
(FR)L'invention concerne une mémoire à semi-conducteurs et son procédé de fabrication. Ce procédé consiste à former une couche de diffusion d'impuretés servant de lignes de bits sur la surface d'un substrat semi-conducteur, puis à former des films isolants enterrés sur la couche de diffusion d'impuretés. Une électrode grille d'un point mémoire comprend des premiers films de silicium polycristallin formés sur un film piège, entre les films isolants enterrés, ayant une hauteur approximativement égale à celle des films isolants enterrés, ainsi que des seconds films de silicium polycristallin situés sur les films isolants enterrés et les premiers films de silicium polycristallin, conçus pour relier par voie électrique les premiers films de silicium polycristallin.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, NL).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)