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1. (WO2003071595) FILM MINCE LUCUO MONOCRISTALLIN (S, SE, TE), SON PROCEDE DE FABRICATION, ET DISPOSITIF OPTIQUE OU DISPOSITIF ELECTRONIQUE UTILISANT UN FILM MINCE MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/071595    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/001756
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 19.02.2003
CIB :
C30B 29/22 (2006.01), C09K 11/00 (2006.01), C09K 11/08 (2006.01), C09K 11/84 (2006.01), C09K 11/88 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 21/365 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 33/26 (2010.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Honcho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012 (JP) (Tous Sauf US).
HOSONO, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRANO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OTA, Hiromichi [JP/JP]; (JP).
ORITA, Masahiro [JP/JP]; (JP).
HIRAMATSU, Hidenori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UEDA, Kazushige [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HOSONO, Hideo; (JP).
HIRANO, Masahiro; (JP).
OTA, Hiromichi; (JP).
ORITA, Masahiro; (JP).
HIRAMATSU, Hidenori; (JP).
UEDA, Kazushige; (JP)
Mandataire : NISHI, Yoshiyuki; Nishi Patent Office, Suite 211, 26-32, Nakahara 4-chome, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 235-0036 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-45417 21.02.2002 JP
2002-197744 05.07.2002 JP
Titre (EN) LnCuO(S, Se, Te) MONOCRYSTALLINE THIN FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND OPTICAL DEVICE OR ELECTRONIC DEVICE USING THE MONOCRYSTALLINE THIN FILM
(FR) FILM MINCE LUCUO MONOCRISTALLIN (S, SE, TE), SON PROCEDE DE FABRICATION, ET DISPOSITIF OPTIQUE OU DISPOSITIF ELECTRONIQUE UTILISANT UN FILM MINCE MONOCRISTALLIN
Abrégé : front page image
(EN)Conventional LnCuOX films are manufactured by growing an amorphous film under adequate conditions by sputtering and annealing the film at high temperatures. They are all polycrystalline and do not contribute to high emission efficiency and electron mobility when used as a material of a light-emitting device or an electronic device. A base thin film is grown on a monocrystalline substrate. An amorphous or polycrystalline LnCuOX (where Ln is at least one element out of Lanthanide series and Y, and X is at least one element out of S, Se, and Te) thin film is deposited on the base thin film. The substrate is annealed at a high temperature of 500°C or more. Thus, a thin film of good crystallinity suitable for a single crystal for a light-emitting diode device, a semiconductor laser device, a field-effect transistor device, or a heterobipolar transistor device.
(FR)L'invention concerne des films LnCuOX traditionnels fabriqués par croissance d'un film amorphe dans des conditions adéquates par pulvérisation et recuit du film à des températures élevées. Ces films sont tous polycristallins et ne contribuent pas à une efficacité d'émission élevée et à une mobilité des électrons, lorsqu'ils sont utilisés comme matière d'un dispositif électroluminescent ou d'un dispositif électronique. Un film mince de base croît sur un substrat monocristallin. Un film mince amorphe ou polycristallin LnCuOX (Ln représentant au moins un élément d'une série de lanthanide et, Y et X représentent au moins un élément parmi S, Se, et Te) est formé par dépôt sur le film mince de base. Le substrat est recuit à une température élevée d'au moins 500 °C. On obtient, ainsi, un film mince de bonne cristallinité appropriée à un cristal unique d'un dispositif de diode électroluminescente, d'un dispositif laser semi-conducteur, d'un dispositif de transistor à effet de champ ou d'un dispositif de transistor hétérobipolaire.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)