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1. (WO2003071590) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MASQUE D'EXPOSITION, MASQUE D'EXPOSITION ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/071590    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/002071
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 25.02.2003
CIB :
G03F 1/22 (2012.01), G03F 1/24 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
SUGAWARA, Minoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUGAWARA, Minoru; (JP)
Mandataire : NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office, 9th Floor, Toranomon Daiichi Building, 2-3, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-47474 25.02.2002 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR EXPOSURE MASK, EXPOSURE MASK, AND PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MASQUE D'EXPOSITION, MASQUE D'EXPOSITION ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)When producing an exposure mask (10) comprising a mask blank (12) for reflecting a ultra-short ultraviolet ray, an absorption film (14) that covers one surface thereof with a specified pattern, and a buffer film (13) interposed between them, a swing effect and a bulk effect to be produced at an object to which the specified pattern is transferred are specified based on the physical property values of a material forming the absorption film (14) and the buffer film (13) and optical conditions at exposure, and, in consideration of specified swing effect and bulk effect, the forming film thickness of the absorption film (14) is determined so as to minimized variations in pattern line width and/or possibility of pattern position deviation. Accordingly, a proper measure can be taken for minimizing and fining a transferred image even in the case of a reflection-type exposure mask compatible with a ultra-short ultraviolet ray by minimizing a variation in line width after exposure onto a wafer and deviation in pattern position.
(FR)Lors de la production d'un masque d'exposition (10) comprenant une ébauche de masque (12) destinée à réfléchir un rayon ultraviolet ultra-court, un film d'absorption (14) recouvrant une surface correspondante avec un motif spécifié ainsi qu'un film tampon (13) intercalé entre ces deux éléments, un effet de balancement et un effet de volume à produire au niveau d'un objet vers lequel le motif spécifié est transféré sont spécifiés sur la base des valeurs de propriétés physiques d'une matière constituant le film d'absorption (14) et le film tampon (13), et des conditions optiques lors d'une exposition. En outre, compte tenu de l'effet de balancement et de l'effet de volume spécifiés, l'épaisseur du film de formation du film d'absorption (14) est déterminée de manière à réduire au minimum les variations de largeur de la ligne du motif et/ou le risque de déviation de la position du motif. Par conséquent, une mesure appropriée peut être réalisée en vue de réduire et d'affiner une image transférée dans le cas d'un masque d'exposition de type à réflexion compatible avec un rayon ultraviolet ultra-court, notamment par réduction de la variation de la largeur de ligne après exposition sur une plaquette et de la déviation de la position du motif.
États désignés : DE, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)