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1. (WO2003071552) DYADES A TROIS COUCHES MULTI-ETATS DANS TROIS ARCHITECTURES DISTINCTES POUR APPLICATIONS DE STOCKAGE D'INFORMATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/071552    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/005505
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 18.02.2003
CIB :
G11C 11/34 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01), G11C 13/02 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 12th Floor 1111 Franklin Street Oakland, CA 94607-5200 (US) (Tous Sauf US).
LINDSEY, Jonathan, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
BOCIAN, David, F. [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHWEIKART, Karl-Heinz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KUHR, Werner, G. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LINDSEY, Jonathan, S.; (US).
BOCIAN, David, F.; (US).
SCHWEIKART, Karl-Heinz; (DE).
KUHR, Werner, G.; (US)
Mandataire : QUINE, Jonathan, Alan; Quine Intellectual Property Law Group, P.C. P.O. Box 458 Alameda, CA 94501 (US)
Données relatives à la priorité :
10/079,938 19.02.2002 US
Titre (EN) MULTISTATE TRIPLE-DECKER DYADS IN THREE DISTINCT ARCHITECTURES FOR INFORMATION STORAGE APPLICATIONS
(FR) DYADES A TROIS COUCHES MULTI-ETATS DANS TROIS ARCHITECTURES DISTINCTES POUR APPLICATIONS DE STOCKAGE D'INFORMATIONS
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 1015 bits/cm3), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode. The storage medium typically comprises a storage molecule that is a triple-decker sandwich heterodimer. Such dimers can provide 8 or more oxidation states and permit the storage of at least 3 bits per molecule.
(FR)La présente invention se rapporte à de nouveaux dispositifs de mémoire à haute densité d'enregistrement, qui sont adressables par voie électrique pour permettre une lecture et une écriture efficaces, qui présentent une haute densité d'enregistrement (par ex., 1015 bits/cm3) ainsi qu'un haut degré de tolérance aux pannes, et qui conviennent pour une synthèse chimique et une fabrication de puces efficaces. Les dispositifs ont un déclenchement intrinsèque, sont tolérants aux défauts, et supportent les cycles de lecture destructive et non destructive. Dans un mode de réalisation préféré, le dispositif comprend une électrode fixe couplée électriquement à un support de stockage possédant une multitude d'états d'oxydation différents et discernables, les données étant stockées dans lesdits états d'oxydation par l'ajout au support de stockage ou le retrait de ce dernier d'un ou plusieurs électrons par l'intermédiaire de l'électrode couplée électriquement. Le support de stockage comprend généralement une molécule de stockage qui est un hétérodimère sandwich à trois couches. De tels dimères peuvent offrir 8 états d'oxydation ou plus, et permettre le stockage d'au moins 3 bits par molécule.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)