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1. (WO2003071549) MEMOIRE A ACCES ALEATOIRE A CONDUCTEURS PROGRAMMABLE ET PROCEDE DE DETECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/071549    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/003674
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 10.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.08.2003    
CIB :
G11C 11/34 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, Boise, ID 83707-0006 (US)
Inventeurs : CASPER, Stephen, L.; (US).
DUESMAN, Kevin, G.; (US).
HUSH, Glen; (US)
Mandataire : D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP, 2101 L Street, NW, Washington, DC 20037-1526 (US)
Données relatives à la priorité :
10/076,486 19.02.2002 US
Titre (EN) PROGRAMMABLE CONDUCTOR RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR SENSING SAME
(FR) MEMOIRE A ACCES ALEATOIRE A CONDUCTEURS PROGRAMMABLE ET PROCEDE DE DETECTION
Abrégé : front page image
(EN)A sense circuit for reading a resistance level of a programmable conductor random access memory (PCRAM) cell is provided. A voltage potential difference is introduced across a PCRAM cell by activating an access transistor from a raised rowline voltage. Both a digit line and a digit complement reference line are precharged to a first predetermined voltage. The cell being sensed has the precharged voltage discharged through the resistance of the programmable conductor memory element of the PCRAM cell. A comparison is made of the voltage read at the digit line and at the reference conductor. If the voltage at the digit line is greater than the reference voltage, the cell is read as a high resistance value (e.g., logic HIGH); however, if the voltage measured at the digit line is lower than that of the reference voltage, the cell is read as a low resistance value (e.g., logic LOW).
(FR)L'invention concerne un circuit de détection de lecture d'un niveau de résistance d'une mémoire à accès aléatoire à conducteurs programmable (PCRAM). Une différence de potentiel de tension est introduite dans une cellule PCRAM par activation d'un transistor d'accès à l'aide d'une tension de ligne de rangées plus élevée. Une ligne binaire et une ligne de référence complémentaire binaire sont préchargées à l'aide d'une première tension prédéterminée. La cellule détectée présente la tension préchargée déchargée par la résistance de l'élément de mémoire conducteur programmable de la cellule PCRAM. On compare la tension lue au niveau de la ligne binaire et la tension lue au niveau du conducteur de référence. Si la tension au niveau de la ligne binaire est supérieure à la tension de référence, la cellule présente une valeur de résistance élevée (par exemple, logique ELEVEE). Cependant si la tension mesurée au niveau de la ligne binaire est inférieure à celle de la tension de référence, la cellule présente une valeur à faible résistance (par exemple, logique FAIBLE).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)