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1. (WO2003071011) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR DEPOSER DES COUCHES DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/071011    N° de la demande internationale :    PCT/EP2003/001549
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 15.02.2003
CIB :
C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01)
Déposants : AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17 52072 Aachen (DE) (Tous Sauf US).
JÜRGENSEN, Holger [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STRAUCH, Gerd [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : JÜRGENSEN, Holger; (DE).
STRAUCH, Gerd; (DE)
Mandataire : GRUNDMANN, DirK; Rieder & Partner Corneliusstrasse 45 42329 Wuppertal (DE)
Données relatives à la priorité :
102 07 461.5 22.02.2002 DE
Titre (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN VON HALBLEITERSCHICHTEN
(EN) METHOD AND DEVICE FOR DEPOSITING SEMI-CONDUCTOR LAYERS
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR DEPOSER DES COUCHES DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens, wobei die Prozessgase mittels eines gemeinsamen Gaseinlassorgans (D) in die Prozesskammer eingeleitet werden, in welcher sich ein Substrathalter (S)befindet, wobei das Gaseinlassorgan eine Gasauslassfläche besitzt, die temperiert ist, und die in der Art eines Siebes eine Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen besitzt, wobei der Substrathalter sich parallel zur Gasauslassfläche in der Horizontalebene erstreckt und um eine Vertikalachse drehangetrieben ist, wobei der Abstand zwischen dem Substrathalter und der Gasauslassfläche nicht grösser als 75 mm ist, und mit einer Gasversorgungseinrichtung für die reaktiven Gase, die aus mindestens einer metallorganischen Verbindung und mindestens einem Hydrid sowie einem weiteren Gas dieser Art bestehen. Mit geringer werdendem Abstand des Gaseinlassorgans werden die über dem Substrathalter verlaufenden Isothermen zunehmen flacher, was zu einer höheren Isothermenhomogenität führt.
(EN)The invention relates to a device for carrying out a method wherein the process gases are introduced via a common gas inlet element (D) into the process chamber in which a substrate holder (S) is arranged. The gas inlet element has a gas outlet surface which is tempered and which possesses a plurality of gas outlets like a sieve. The substrate holder extends parallel to the gas outlet surface on a horizontal plane and is rotationally driven about a vertical axis. The distance between the substrate holder and the gas outlet surface is not greater than 75 mm. A gas supply device for the reactive gases consisting of at least one metal-organic compound and at least one hydride in addition to another gas is also provided. The isotherms extending above the substrate holder become increasingly flatter as the distance from the gas inlet element becomes smaller, thereby resulting in a higher degree of isothermic homogeneity.
(FR)L'invention concerne un dispositif pour la mise en oeuvre d'un procédé selon lequel : les gaz de processus sont introduits au moyen d'un organe d'introduction de gaz (D) commun dans la chambre de processus où se trouve un support de substrat (S). L'organe d'introduction de gaz présente une surface de sortie de gaz qui est mise à la température voulue et qui présente, à la façon d'un tamis, une pluralité d'ouvertures de sortie de gaz. Le support de substrat s'étend dans le plan horizontal parallèlement à la surface de sortie de gaz et il est entraîné en rotation autour d'un axe vertical. L'écart séparant le support de substrat de la surface de sortie de gaz est au maximum de 75 mm. Un dispositif d'alimentation en gaz sert à amener les gaz réactifs qui sont constitués d'au moins un composé organométallique, d'au moins un hydrure et d'au moins un autre gaz. Au fur et à mesure que l'éloignement de l'organe d'introduction de gaz se réduit, les isothermes correspondant à la zone située au-dessus du support de substrat deviennent plus plates, cela ayant pour résultat une plus grande homogénéité desdites isothermes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)