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1. (WO2003071008) PROCEDES ET APPAREIL PERMETTANT DE REALISER DES STRUCTURES MICROELECTROMECANIQUES A RAPPORT DE FORME ELEVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/071008    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/033249
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 15.10.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.05.2003    
CIB :
C25D 1/00 (2006.01), C25D 5/02 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), C25D 21/14 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H05K 3/24 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA [US/US]; 3716 South Hope Street, Suite 313 Los Angeles, CA 90007 (US)
Inventeurs : COHEN, Adam, L.; (US)
Mandataire : SMALLEY, Dennis, R.; MEMGen Corporation, 1103 W. Isabel Street, Burbank, CA 91506 (US)
Données relatives à la priorité :
60/329,654 15.10.2001 US
Titre (EN) METHODS OF AND APPARATUS FOR MAKING HIGH ASPECT RATIO MICROELECTROMECHANICAL STRUCTURES
(FR) PROCEDES ET APPAREIL PERMETTANT DE REALISER DES STRUCTURES MICROELECTROMECANIQUES A RAPPORT DE FORME ELEVE
Abrégé : front page image
(EN)Various embodiments of the invention present techniques for forming structures (e.g. HARMS-type structures) via an electrochemical extrusion (ELEXTM) process. Preferred embodiments perform the extrusion processes via depositions through anodeless conformable contact masks that are initially pressed against substrates that are then progressively pulled away or separated as the depositions thicken. A pattern of deposition may vary over the course of deposition by including more complex relative motion between the mask and the substrate elements. Such complex motion may include rotational components or translational motions having components that are not parallel to an axis of separation. More complex structures may be formed by combining the ELEXTM process with the selective deposition, blanket deposition, planarization, etching, and multi-layer operations of EFABTM.
(FR)Plusieurs formes de réalisation de la présente invention concernent des techniques de formation de structures (par exemple des structures du type microstructures à rapport de forme élevé) au moyen d'un processus d'extrusion électrochimique (ELEXTM). Dans les formes de réalisation préférées, les processus d'extrusion sont effectués via des dépôts à travers des masques à contact adaptables sans anode qui sont initialement poussés contre des substrats qui sont ensuite progressivement retirés ou séparés lorsque les dépôts épaississent. Un motif de dépôt peut varier pendant la durée du dépôt lorsqu'on introduit un mouvement relatif complexe entre le masque et les éléments de substrat. Un tel mouvement complexe peut comprendre des composantes de rotation et des mouvement de translation ayant des composantes qui ne sont pas parallèles à un axe de séparation. Des structures plus complexes peuvent être formées lorsqu'on combine le processus ELEXTM et le dépôt sélectif, le dépôt de blanchet, la planarisation, la gravure et les opérations multicouches de EFABTM.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)