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1. (WO2003070846) SECHAGE D'UNE PHOTORESINE AU MOYEN D'UN BAIN AUX SOLVANTS ET D'UN CO2 SUPERCRITIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/070846    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/004698
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 14.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.09.2003    
CIB :
G03F 7/40 (2006.01)
Déposants : SUPERCRITICAL SYSTEMS INC. [US/US]; 2120 W. Guadalupe Road Gilbert, AZ 85223 (US)
Inventeurs : ARENA-FOSTER, Chantal, J.; (US).
AWTREY, Allan, Wendell; (US).
RYZA, Nicholas, Alan; (US).
SHILLING, Paul; (**)
Mandataire : HAVERSTOCK, Thomas, B.; Haverstock & Owens LLP, 162 N. Wolfe Road, Sunnyvale, CA 94086 (US)
Données relatives à la priorité :
60/357,756 15.02.2002 US
60/358,622 20.02.2002 US
Titre (EN) DRYING RESIST WITH A SOLVENT BATH AND SUPERCRITICAL CO2
(FR) SECHAGE D'UNE PHOTORESINE AU MOYEN D'UN BAIN AUX SOLVANTS ET D'UN CO2 SUPERCRITIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method (10) for drying an object having a polymeric film, wherein the object is submerged in a rinse liquid. The object is removed from the rinse liquid (20) and the object is placed in a solvent bath (20) before a sufficient amount of the rinse liquid can evaporate from the object (20). The density of a solvent in the solvent bath depends on a direction of orientation of the polymeric film with respect to a force. The object is removed from the solvent bath (30). A drying process is performed (40).
(FR)L'invention concerne un procédé de séchage d'un objet présentant un film polymérique, l'objet étant immergé dans un liquide de rinçage. L'objet est retiré du liquide de rinçage et placé dans un bain aux solvants avant qu'une quantité suffisante du liquide de rinçage ne s'évapore de l'objet. La densité d'un solvant dans le bain aux solvants est tributaire d'un sens d'orientation du film polymérique par rapport à une force. L'objet est retiré du bain aux solvants et un processus de séchage est accompli.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)