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1. (WO2003070641) CORPS PIEZO-ELECTRIQUE, SON PROCEDE DE FABRICATION, ELEMENT PIEZO-ELECTRIQUE COMPORTANT LE CORPS PIEZO-ELECTRIQUE, TETE D'INJECTION, ET DISPOSITIF D'ENREGISTREMENT DE TYPE A INJECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/070641    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/001826
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 19.02.2003
CIB :
B41J 2/16 (2006.01), C01G 21/00 (2006.01), C01G 25/00 (2006.01), C04B 35/491 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO.,LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP) (Tous Sauf US).
KANNO, Isaku [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUNAGA, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMADA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARA, Shintaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANNO, Isaku; (JP).
MATSUNAGA, Toshiyuki; (JP).
KAMADA, Takeshi; (JP).
HARA, Shintaro; (JP)
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Taihei Bldg., 4-8, Utsubohonmachi 1-chome, Nishi-ku Osaka-shi, Osaka 550-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-041058 19.02.2002 JP
Titre (EN) PIEZOELECTRIC BODY, MANUFACTURING METHOD THEREOF, PIEZOELECTRIC ELEMENT HAVING THE PIEZOELECTRIC BODY, INJECT HEAD, AND INJECT TYPE RECORDING DEVICE
(FR) CORPS PIEZO-ELECTRIQUE, SON PROCEDE DE FABRICATION, ELEMENT PIEZO-ELECTRIQUE COMPORTANT LE CORPS PIEZO-ELECTRIQUE, TETE D'INJECTION, ET DISPOSITIF D'ENREGISTREMENT DE TYPE A INJECTION
Abrégé : front page image
(EN)A piezoelectric element includes a first electrode (2) arranged on a substrate (1), a piezoelectric body (3) arranged on the first electrode (2), and a second electrode (4) arranged on the piezoelectric body (3). The piezoelectric body (3) has a perovskite-type crystal structure expressed by ABO3 in which the A-site contains Pb as a main component and the B-site contains Zr, Ti, and Pb as main components. In the B-site, the ratio of Pb atoms with respect to all the atoms is 3% to 30%. That is, the piezoelectric body (3) contains excessive Pb and the excessive Pb atoms are activated during film formation so as to obtain Pb4+ which is introduced into the B-site.
(FR)La présent invention a trait à un élément piézo-électrique comportant une première électrode (2) disposée sur un substrat (1), un corps piézo-électrique (3) disposé sur la première électrode (2), et une deuxième électrode (4) disposée sur le corps piézo-électrique (3). Le corps piézo-électrique (3) présente un réseau cristallin de type pérovskite représenté par ABO3 dans lequel le site A contient du plomb en tant que constituant principal et le site B contient du zirconium, du titane et du plomb en tant que constituants principaux. Dans le site B, le rapport d'atomes de plomb par rapport au total d'atomes est compris entre 3 % et 30 %. C'est à dire, le corps piézo-électrique (3) contient du plomb en excès et les atomes de plomb en excès sont activés lors de la formation de film afin d'obtenir du Pb4+ qui est introduit dans le site B.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)