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1. (WO2003069960) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069960    N° de la demande internationale :    PCT/KR2003/000306
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 13.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.09.2003    
CIB :
H01L 27/32 (2006.01), H01L 51/56 (2006.01)
Déposants : PARK, Byoung-Choo [KR/KR]; (KR)
Inventeurs : PARK, Byoung-Choo; (KR)
Mandataire : LEE, Sang-Hun; Han Nuri Patent & Law Office, Suite 303, Back-Ak Bldg. 828-53 Yoksam-dong, Kangnam-ku, 135-080 Seoul (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2002-0008268 15.02.2002 KR
Titre (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing an organic semiconductor device including an organic electro-luminescent device composed of a plurality of pixels, which display high quality image information. Insulating film patterns composed of insulating materials having a lower optical damage threshold than the optical damage threshold of a substrate are formed between pixel elements on the substrate. Organic layers including a light-emitting organic layer and electrodes are formed on the substrate where the insulating films are formed. Focused laser beams are irradiated to entirely remove the organic layers and electrode materials formed on the insulating film patterns and remove the insulating film patterns partially or entirely in view of thickness and, thereby forming a plurality of pixels. The optical damage process using laser beam irradiation is performed under the vacuum, or non-moisture and non-oxygen inert gas flows, to prevent the devices from being contaminated by residual products.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur organique comprenant un dispositif électroluminescent organique composé d'une pluralité de pixels permettant d'obtenir des données image de haute qualité. Ce procédé consiste à former des structures de pellicules isolantes composées de matériaux isolants dont le seuil de dommage optique est inférieur à celui d'un substrat, entre des éléments de pixels, sur le substrat ; à former des couches organiques comprenant une couche organique luminescente et des électrodes sur le substrat comprenant les pellicules isolantes ; et à appliquer des faisceaux laser focalisés pour entièrement retirer les couches organiques et les matériaux d'électrode formés sur les structures de pellicules isolantes et retirer partiellement ou totalement les structures de pellicules isolantes en fonction de l'épaisseur, pour obtenir, ainsi, une pluralité de pixels. Le processus de dommage optique par exposition à un faisceau laser est réalisé sous vide ou par écoulements de gaz inerte anhydre, sans oxygène, pour éviter que les dispositifs ne soient contaminés par des éléments résiduels.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)