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1. (WO2003069897) IMAGEUR A SEMI-CONDUCTEURS ET SYSTEME DE CAMERA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069897    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/001426
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 12.02.2003
CIB :
H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/341 (2011.01), H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/363 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
MABUCHI, Keiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MABUCHI, Keiji; (JP)
Mandataire : SATOH, Takahisa; SOHSHIN INTERNATIONAL PATENT OFFICE, 4F, Miyaki Bldg., 4-2, Yanagibashi 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-33583 12.02.2002 JP
Titre (EN) SOLID STATE IMAGER AND CAMERA SYSTEM
(FR) IMAGEUR A SEMI-CONDUCTEURS ET SYSTEME DE CAMERA
Abrégé : front page image
(EN)If the floating node potential is made 0V when not selected, electrons leak from the floating node to the photo diode, causing a noise. An MOS type solid state imager has unit pixels (10) arranged in a matrix and each having a photo diode (11), a transfer transistor (12) for transferring a signal of the photo diode (11) to a floating node (N11), an amplification transistor (13) for outputting the signal of the floating node (N11) to a vertical signal line (22), and a reset transistor (14) for resetting the floating node (N11). By using inverter configuration having a P-type MOS transistor at the ground side as a buffer final stage (29) driving a drain line (23), it is possible to make the potential of the floating node (N11) to 0.5V, for example, when not selected and to prevent leak of electrons through the transfer transistor (12) to the photo diode (11).
(FR)Si le potentiel d'un noeud de stockage est de l'ordre de 0V en cas de non sélection, des électrons fuient depuis le noeud de stockage vers la photodiode, ce qui entraîne un bruit. Un imageur à semi-conducteurs de type MOS comprend des pixels (10) disposés dans une matrice, chacun étant doté d'une photodiode (11), un transistor de transfert (12) afin de transférer un signal de la photodiode (11) vers un noeud de stockage (N11), un transistor d'amplification (13) afin de sortir le signal du noeud de stockage (N11) vers une ligne de signal verticale (22), et un transistor de remise à zéro (14) afin de remettre à zéro le noeud de stockage (N11). Le fait d'utiliser une configuration circuit inverseur dotée d'un transistor MOS de type P côté terre en tant qu'étape finale d'un tampon (29) entraînant un tuyau de drainage (23), permet de porter le potentiel du noeud de stockage (N11) à 0,5V par exemple, en cas de non sélection et d'empêcher la fuite des électrons à travers le transistor de transfert (12) vers la photodiode (11).
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)