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1. (WO2003069745) RESEAU DE DIODES LASER DOTE D'UNE SORTIE EN PHASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069745    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/002948
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 30.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.09.2003    
CIB :
H01S 5/40 (2006.01)
Déposants : QUINTESSENCE PHOTONICS CORPORATION [US/US]; 15632 Roxford Street, Sylmar, CA 91342-1265 (US)
Inventeurs : UNGAR, Jeffrey, E.; (US)
Mandataire : YORKS, Ben, J.; Irell & Manella LLP, Suite 400, 840 Newport Center Drive, Newport Beach, CA 92660 (US)
Données relatives à la priorité :
60/357,011 12.02.2002 US
10/264,593 03.10.2002 US
Titre (EN) A LASER DIODE ARRAY WITH AN IN-PHASE OUTPUT
(FR) RESEAU DE DIODES LASER DOTE D'UNE SORTIE EN PHASE
Abrégé : front page image
(EN)A laser diode array (10) that includes a plurality of laser stripes each separated by an unpumped region. The array (10) includes at least one first laser stripe (12) and at least one second laser stripe (14). The first laser stripe (12) emits a first laser beam. The second laser stripe (14) emits a second laser beam. A phase shifter is connected to the stripes so that the phase of the second laser beam is shifted to be in phase with first laser beam. The resultant output beam of the array (10) is a high power, high quality, diffraction limited beam.
(FR)L'invention concerne un réseau de diodes laser comprenant une pluralité de rubans laser séparés respectivement par une région non pompée. Ledit réseau comprend au moins un premier ruban laser et au moins un second ruban laser. Ce premier ruban laser émet un premier faisceau laser. Ledit second ruban laser émet un second faisceau laser. Un déphaseur est connecté aux rubans, de telle manière que la phase du second faisceau laser est déplacée pour être en phase avec le premier faisceau laser. Ledit faisceau de sortie résultant du réseau est un faisceau limité par la diffraction, de haute qualité, de puissance élevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)