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1. (WO2003069681) STRUCTURES ACTIVES ET PASSIVES A PERFORMANCE ELEVEE A BASE DE MATERIAU DE SILICIUM OBTENU PAR CROISSANCE EPITAXIALE OU LIEES A UN SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069681    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/003977
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 05.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.09.2003    
CIB :
H01L 31/0312 (2006.01)
Déposants : SIRENZA MICRODEVICES, INC. [US/US]; 522 Almanor Avenue, Sunnyvale, CA 94805 (US)
Inventeurs : JOHNSON, Joseph, H.; (US).
D'ANNA, Pablo, E.; (US)
Mandataire : TANKHILEVICH, Boris, G.; Law Offices of Boris G. Tankhilevich, 536 North Civic Drive, Suite A, Walnut Creek, CA 94597 (US)
Données relatives à la priorité :
10/078,588 14.02.2002 US
Titre (EN) HIGH PERFORMANCE ACTIVE AND PASSIVE STRUCTURES BASED ON SILICON MATERIAL GROWN EPITAXIALLY OR BONDED TO SILICON CARBIDE SUBSTRATE
(FR) STRUCTURES ACTIVES ET PASSIVES A PERFORMANCE ELEVEE A BASE DE MATERIAU DE SILICIUM OBTENU PAR CROISSANCE EPITAXIALE OU LIEES A UN SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)The present invention discloses and claims the silicon carbide based silicon structure comprising: (1) a silicon carbide substrate (66), (2) a silicon semiconductor material (64) having a top surface (65), and either bonded to the silicon carbide substrate via the bonding layer (68), or epitaxially grown on the silicon carbide substrate; and (3) at least one separation plug (62) formed in the silicon semiconductor material. The separation plug extends from the top surface of the silicon semiconductor material into the silicon carbide substrate at a separation plug depth level (70), and is configured to block the coupling between at least two adjacent active/passive structures (72,74) formed in the silicon semiconductor material.
(FR)L'invention concerne une structure de silicium à base de carbure de silicium comprenant: 1) un substrat (66) en carbure de silicium, 2) un matériau semi-conducteur (64) en silicium possédant une surface supérieure (65), et soit lié au substrat en carbure de silicium via une couche de liaison (68) soit obtenu par croissance épitaxiale sur ledit substrat en carbure de silicium; et (3) au moins une tampon de séparation (62) formé dans le matériau semi-conducteur (64) en silicium. Le tampon de séparation s'étend de la surface supérieure du matériau semi-conducteur en silicium dans le substrat en carbure de silicium à un niveau de profondeur (70) du tampon de séparation, et est configuré afin de bloquer le couplage entre au moins les deux structures adjacentes (72, 74) active/passive formées dans ledit matériau semi-conducteur en silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)