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1. (WO2003069667) PROCEDE D'ANALYSE DE POLARISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069667    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/001370
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 10.02.2003
CIB :
G01B 11/06 (2006.01), G01N 21/21 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
KIKUCHI, Toshihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIKUCHI, Toshihiko; (JP)
Mandataire : SUYAMA, Saichi; Kanda Higashiyama Bldg., 1, Kandata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0046 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-40506 18.02.2002 JP
Titre (EN) POLARIZATION ANALYZING METHOD
(FR) PROCEDE D'ANALYSE DE POLARISATION
Abrégé : front page image
(EN)Under an oxide film (301), a multilayer interconnection comprising a layer B composed of a metal interconnection (302) and an interlayer insulating film (303) and a layer D composed of a metal interconnection (304) extending in a direction perpendicular to the metal interconnection (302) and an interlayer insulating film (305) is formed. Assuming that the s-polarized light of the incident light is reflected from the interface of the layer B, and the p-polarized light is reflected from the interface of the layer D, the amplitude reflectances Rs and Rp are calculated, and tan &PSgr; of a function of the amplitude ratio &PSgr; between the s- and p-polarized components and cos &Dgr; of a function of the phase difference &Dgr; between them are calculated, thereby creating reference data. The thickness (tA) of the oxide film (301) is determined on the basis of the reference data. Thus, the thickness and cross section shape of the film formed on the multilayer interconnection are measured in a nondestructive manner with high throughput.
(FR)L'invention concerne un film (301) d'oxyde sous lequel est formée une interconnexion multicouche comprenant une couche B composée d'une interconnexion métallique (302) et d'un film isolant intermédiaire (303) et une couche D composée d'une interconnexion métallique (304) s'étendant dans une direction perpendiculaire à l'interconnexion métallique (302) et d'un film isolant intermédiaire (305). En partant du principe que la lumière polarisée s de la lumière incidente est réfléchie par l'interface de la couche B, et que la lumière polarisée p est réfléchie par l'interface de la couche D, les facteurs de réflexion d'amplitude Rs et Rp sont calculés, et la tangente $g(C) d'une fonction du rapport d'amplitude $g(C) entre les composants polarisés s et p et le cosinus $g(D) d'une fonction de la différence de phase $g(D) entre ceux-ci sont calculés, générant ainsi des données de référence. L'épaisseur (tA) du film (301) d'oxyde est déterminée à partir des données de référence. L'épaisseur et la forme transversale du film formé sur l'interconnexion multicouche sont ainsi mesurées de manière non destructive et à haut rendement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)