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1. (WO2003069666) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE FEUILLE DE CUIVRE SUR UN SUBSTRAT SUPPORT METALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069666    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/041750
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 31.12.2002
CIB :
C25D 1/04 (2006.01), H05K 3/02 (2006.01)
Déposants : NIKKO MATERIALS USA, INC. [US/US]; 34929 Curtis Boulevard, Eastlake, OH 44095-4001 (US)
Inventeurs : WANG, Jiangtao; (US).
LILLIE, Dan; (US).
RUSSELL, David, B.; (US).
CLOUSER, Sidney, J.; (US)
Mandataire : KUSNER, Mark; Mark Kusner Co., LPA, Highland Place - Suite 310, 6151 Wilson Mills Road, Highland Heights, OH 44143 (US)
Données relatives à la priorité :
10/074,988 13.02.2002 US
Titre (EN) PROCESS FOR MANUFACTURING COPPER FOIL ON A METAL CARRIER SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE FEUILLE DE CUIVRE SUR UN SUBSTRAT SUPPORT METALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for forming a relatively thin releasable layer of copper on a carrier substrate (12). First, a separation facilitating layer is provided on the carrier substrate. A layer of vapor-deposited copper is then formed over the separation facilitating layer to protect the separation facilitating layer (29) during subsequent processing. Thereafter, the thickness of the copper layer is increased by the electrodeposition of copper onto the vapor-deposited layer (49). The copper layer is applied to a dielectric and is released from the carrier substrate at the separation facilitating layer.
(FR)Cette invention concerne un procédé et un appareil servant à former une couche libérable de cuivre relativement fine sur un substrat support (12). Tout d'abord, une couche favorisant la séparation est appliquée sur le substrat support. Une couche de cuivre déposée sous vide est ensuite formée sur la couche favorisant la séparation de manière que la couche favorisant la séparation (29) soit protégée lors du traitement suivant. L'épaisseur de la couche de cuivre est ensuite augmentée par l'électrodéposition de cuivre sur la couche déposée sous vide (49). Cette couche de cuivre est appliquée sur un matériau diélectrique, après quoi elle est libérée du substrat support au niveau de la couche facilitant la séparation.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)