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1. (WO2003069661) PROCEDE DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR ET APPAREIL DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069661    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/001388
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 10.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.07.2003    
CIB :
H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
HOSHINO, Satohiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HISHIYA, Shingo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HOSHINO, Satohiko; (JP).
HISHIYA, Shingo; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-34182 12.02.2002 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR ET APPAREIL DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A gas supply system supplies an ammonia gas into a reaction tube accommodating a semiconductor wafer fabricated by etching and ashing cleaning in a predetermined semiconductor manufacturing process, and the reaction tube is heated by a heater to heat the semiconductor wafer in a predetermined ammonia atmosphere. Thus the specific dielectric constant k increased and degraded by the etching and ashing cleaning, of an interlayer insulating film in the semiconductor device is effectively lowered and recovered effectively.
(FR)Un système d'alimentation de gaz fournit un gaz d'ammoniac dans un tube de réaction logeant une plaquette semiconductrice fabriquée par gravure et par nettoyage par polissage humide dans un processus de fabrication de semiconducteur prédéterminé. Ce tube de réaction est chauffé par un chauffage de façon à chauffer la plaquette semiconductrice dans une atmosphère d'ammoniac prédéterminée. Ainsi la constante diélectrique k spécifique augmentée ou dégradée par la gravure et le nettoyage par polissage humide d'un film d'isolation intercouche présent dans le dispositif semiconducteur est efficacement abaissée et récupérée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)