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1. (WO2003069659) GAZ DE NETTOYAGE ET GAZ DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069659    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/000804
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 28.01.2003
CIB :
B08B 7/00 (2006.01), C09K 13/00 (2006.01), C09K 13/08 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : RESEARCH INSTITUTE OF INNOVATIVE TECHNOLOGY FOR THE EARTH [JP/JP]; 2, Kizugawa-dai 9-chome, Kizu-cho, Souraku-gun, Kyoto 619-0292 (JP) (Tous Sauf US).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8921 (JP) (Tous Sauf US).
OHIRA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MITSUI, Yuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YONEMURA, Taisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SEKIYA, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHIRA, Yutaka; (JP).
MITSUI, Yuki; (JP).
YONEMURA, Taisuke; (JP).
SEKIYA, Akira; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Shunichiro; S.SUZUKI & ASSOCIATES, Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-034460 12.02.2002 JP
Titre (EN) CLEANING GAS AND ETCHING GAS
(FR) GAZ DE NETTOYAGE ET GAZ DE GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)A gas for use in cleaning a chamber and etching a silicon-containing film, characterized in that it comprises a perfluoro cyclic ether having two to four oxygen atoms bonded to carbon atoms in an ether linkage. The gas for use in cleaning a chamber and etching a silicon-containing film is a non-toxic gas or volatile liquid, is environmentally friendly since it is less prone to formation of CF4 which is considered to have global warming effect and thus harmful to the environment, is easy to handle, and is excellent with respect to the easiness in the treatment of an exhaust gas derived therefrom, and further exhibits an excellent cleaning speed.
(FR)L'invention concerne un gaz destiné à être utilisé dans le nettoyage d'une chambre et la gravure d'une couche mince contenant du silicium, caractérisé en ce qu'il contient un perfluoro éther cyclique présentant 2 à 4 atomes d'oxygène liés à des atomes de carbone dans une liaison éther. Le gaz destiné à être utilisé dans le nettoyage d'une chambre et la gravure d'une couche mince contenant du silicium est un gaz non toxique ou un liquide volatile, il est sans danger pour l'environnement étant donné qu'il a moins tendance à la formation de CF4 considéré comme ayant un effet de réchauffement mondial, et ainsi dangereux pour l'environnement, il est facile à manipuler, il est excellent du point de vue de la facilité de traitement d'un gaz d'échappement dérivé, et il présente également une excellente vitesse de nettoyage.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)