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1. (WO2003069649) ELECTRODE, EMETTEUR D'ELECTRONS ET DISPOSITIF LES UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069649    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/005964
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 14.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.09.2003    
CIB :
H01J 3/02 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA WATANABE SHOKO [JP/JP]; 2-16, Nihonbashi-Muromachi 4-chome, Chuo-ku, Tokyo 103-0022 (JP) (Tous Sauf US).
SUGINO, Takashi [JP/JP]; (JP).
KUSUHARA, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UMEDA, Masaru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUGINO, Takashi; (JP).
KUSUHARA, Masaki; (JP).
UMEDA, Masaru; (JP)
Mandataire : FUKUMORI, Hisao; 2F, Fuji Building, 5-11, Kudanminami 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0074 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-39550 18.02.2002 JP
Titre (EN) ELECTRODE, ELECTRON EMITTER, AND DEVICE USING THE SAME
(FR) ELECTRODE, EMETTEUR D'ELECTRONS ET DISPOSITIF LES UTILISANT
Abrégé : front page image
(EN)A high−performance electron emitter capable of emitting electrons at low voltage with high luminance and leading to further improvement of the electron emission characteristic of a Spindt−type cold cathode, a carbon nanotube, and a carbon nanofiber. The electron emitter is provided as a key device of a flat panel display, an imager, an electron beam device, a microwave traveling−wave tube, or an illuminator. A film having an electric field therein, having a thickness of below 50 nm and an electron affinity of below 4.0 eV is formed on a Spindt−type cold cathode, a carbon nanotube, a carbon nanofiber, and a metal or semiconductor substrate having an irregular surface to fabricate an electron emitter. The film is made of a compound of a nitride atom and a group III element atom, such as aluminum nitride, boron nitride, aluminum boron nitride, aluminum gallium nitride, or boron gallium nitride, boron carbon nitride, boron carbide, carbon nitride, or an oxide containing boron.
(FR)Emetteur d'électrons haute performance capable d'émettre des électrons à basse tension et luminance élevée, ce qui permet d'améliorer davantage la caractéristique d'émission d'électrons d'une cathode froide de type Spindt, d'un nanotube de carbone ou d'une nanofibre de carbone. Cet émetteur d'électrons constitue un composant de base d'un écran plat, d'un imageur, d'un dispositif à faisceau électronique, d'un tube à ondes progressives micro-ondes ou d'un illuminateur. La fabrication de cet émetteur d'électrons consiste à créer un film présentant un champ électrique, dont l'épaisseur est inférieure à 50 nm et l'affinité pour les électrons inférieure à 4 eV, sur une cathode froide de type Spindt, un nanotube de carbone, une nanofibre de carbone ou un substrat métallique ou semi-conducteur possédant une surface irrégulière. Ce film est constitué par un composé atomique de nitrure et d'un élément du groupe III, tel que nitrure d'aluminium, nitrure de bore, nitrure d'aluminium-bore, nitrure d'aluminium gallium ou nitrure de bore-gallium, nitrure de bore-carbone, carbone de bore, nitrure de carbone ou un oxyde contenant bore.
États désignés : JP, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)