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1. (WO2003069627) PROGRAMMATION DE PAGE PARTIELLE D'UNE MEMOIRE FLASH SEMI-CONDUCTRICE A PLUSIEURS NIVEAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069627    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/003330
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 05.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.08.2003    
CIB :
G11C 11/56 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : PARKER, Allan; (US).
LAM, Glen; (US)
Mandataire : COLLOPY, Daniel, R.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
WRIGHT, Hugh, R.; Brookes Batchellor LLP, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
10/074,495 11.02.2002 US
Titre (EN) PARTIAL PAGE PROGRAMMING OF MULTI LEVEL FLASH SEMICONDUCTOR MEMORY
(FR) PROGRAMMATION DE PAGE PARTIELLE D'UNE MEMOIRE FLASH SEMI-CONDUCTRICE A PLUSIEURS NIVEAUX
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for partial page programming of a multi level cell flash memory. In a multi level cell flash memory, new partial page programming information may be accessed (510). Information previously stored in the memory may be accessed (520). New and previous information may be combined in a page buffer of a flash device (530). Optionally, new and previous information may be combined in a memory external to the flash device (530). The combined information may be used to program the cells of a flash memory (540). A standard programming and verification method may be used to program the combined information into the cells of a flash memory (540). In this novel manner the benefits of partial page programming may be realized for multi level cell flash memory devices.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil de programmation de page partielle d'un mémoire flash semi-conductrice à plusieurs niveaux. Dans une telle mémoire, il est possible d'avoir accès (510) à une nouvelle information de programmation de page partielle. Les information précédente et nouvelle peuvent être combinées dans un tampon de page d'un dispositif flash (530). Elles peuvent, éventuellement être aussi combinées dans une mémoire extérieure au dispositif flash (530). L'information combinée peut être utilisée afin de programmer les cellules d'une mémoire flash. Il est possible d'utiliser une programmation et un procédé de vérification standards afin de programmer l'information combinée dans les cellules de la mémoire flash (540). De cette façon, les avantages de la programmation de page partielle peuvent être obtenus avec des dispositifs mémoire flash dont les cellules possèdent plusieurs niveaux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)