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1. (WO2003069626) EXTRACTION D'UN CODE BINAIRE A PARTIR DE PARAMETRES PHYSIQUES D'UN CIRCUIT INTEGRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069626    N° de la demande internationale :    PCT/FR2003/000444
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 11.02.2003
CIB :
G11C 14/00 (2006.01), H03K 3/356 (2006.01)
Déposants : STMicroelectronics S.A. [FR/FR]; 29, Boulevard Romain Rolland, F-92120 Montrouge (FR)
Inventeurs : WUIDART, Luc; (FR).
MALHERBE, Alexandre; (FR).
BARDOUILLET, Michel; (FR)
Mandataire : DE BEAUMONT, Michel; Cabinet Michel De Beaumont, 1, rue Champollion, F-38000 Grenoble (FR)
Données relatives à la priorité :
02/01638 11.02.2002 FR
Titre (EN) EXTRACTION OF A BINARY CODE FROM PHYSICAL PARAMETERS OF AN INTEGRATED CIRCUIT
(FR) EXTRACTION D'UN CODE BINAIRE A PARTIR DE PARAMETRES PHYSIQUES D'UN CIRCUIT INTEGRE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method and an integrated cell (1) for extracting a binary value from a propagation of a trigger signal front in two electrical paths comprising two parallel legs located between two voltage application terminals (2, 3). Said legs are respectively provided with the following elements mounted in series: an electrical path differentiation resistance (Rg, Rd); a readout transistor (MNld, MNlg); and a selection transistor (MN2d, MN2g). The central point between the resistance and the readout transistor of each leg defines an outlet terminal (Q, NQ) of the cell, and the readout transistor gate of each leg is connected to the output terminal of the other leg.
(FR)L'invention concerne un procédé d'extraction et une cellule intégrée (1) d'extraction d'une valeur binaire à partir d'une propagation d'un front d'un signal de déclenchement dans deux chemins électriques, comprenant entre deux bornes (2, 3) d'application d'une tension : deux branches parallèles comprenant chacune, en série, une résistance (Rg, Rd) de différenciation des chemins électriques ; un transistor de lecture (MNld, MNlg), le point milieu entre la résistance et le transistor de lecture de chaque branche définissant une borne de sortie (Q, NQ) de la cellule, et la grille du transistor de lecture de chaque branche étant reliée à la borne de sortie de l'autre branche ; et un transistor de sélection (MN2d, MN2g).
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)