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1. (WO2003069288) CAPTEUR OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069288    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/001444
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 12.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.02.2003    
CIB :
G01J 1/02 (2006.01), G01J 1/44 (2006.01), G01T 1/20 (2006.01), H01L 25/16 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01), H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/363 (2011.01), H04N 5/378 (2011.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka 435-8558 (JP) (Tous Sauf US).
MIZUNO, Seiichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMANAKA, Tatsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJII, Yoshimaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIZUNO, Seiichiro; (JP).
YAMANAKA, Tatsumi; (JP).
FUJII, Yoshimaro; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg., 10-6, Ginza 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-034298 12.02.2002 JP
Titre (EN) OPTICAL SENSOR
(FR) CAPTEUR OPTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An optical sensor (1) comprises a photodiode (PDn), integrator circuit (10n), a CDS circuit (20n), and holding circuit (30n). The integrator circuit (10n) includes an amplifier (11n), a capacitor (C), and switch (SW). The photodiode (PDn) is disposed on a first substrate (100). Differential pair input section (transistors T1, T2) and the capacitor (C) of the amplifier (11n) are disposed on a second substrate (200). A drive section (transistors T5, T6) of the amplifier (11n) and other sections are disposed on a third substrate (300).
(FR)La présente invention se rapporte à un capteur optique (1) comportant une photodiode (PDn), un circuit intégrateur (10n), un circuit CDS (20n) et un circuit de maintien (30n). Le circuit intégrateur (10n) comprend un amplificateur (11n), un condensateur (C) et un commutateur (SW). La photodiode (PDn) est disposée sur un premier substrat (100). Une section d'entrée d'une paire différentielle (transistors T<sb>1</sb>, T<sb>2</sb>) et le condensateur (C) de l'amplificateur (11n) sont disposés sur un deuxième substrat (200). Une section de commande (transistors T<sb>5</sb>, T<sb>6</sb>) de l'amplificateur (11n) et d'autres sections sont disposées sur un troisième substrat (300).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)