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1. (WO2003069029) SUSCEPTEUR PRESENTANT DES ENFONCEMENTS ET REACTEUR EPITAXIAL FAISANT APPEL AUDIT SUSCEPTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069029    N° de la demande internationale :    PCT/EP2003/001305
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 10.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.09.2003    
CIB :
C23C 16/458 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), C30B 25/12 (2006.01)
Déposants : LPE SPA [IT/IT]; Via dei Giovi 7, 20021 Bollate (IT) (Tous Sauf US).
PRETI, Franco [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
OGLIARI, Vincenzo [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : PRETI, Franco; (IT).
OGLIARI, Vincenzo; (IT)
Mandataire : DRAGOTTI, Gianfranco; Dragotti & Associati SRL, Galleria San Babila 4/C, 20122 Milano (IT)
Données relatives à la priorité :
MI2002A000306 15.02.2002 IT
Titre (EN) A SUSCEPTOR PROVIDED WITH INDENTATIONS AND AN EPITAXIAL REACTOR WHICH USES THE SAME
(FR) SUSCEPTEUR PRESENTANT DES ENFONCEMENTS ET REACTEUR EPITAXIAL FAISANT APPEL AUDIT SUSCEPTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The disc susceptor (1) for epitaxial growth reactors is of the type adapted to be heated by induction and is provided with an upper side (11) and with a lower side (12); at least one recess (2) adapted to house at least one corresponding substrate (3) to be subjected to epitaxial growth is formed in the upper side (11); indentations (4) such as to reduce locally the thickness of the susceptor (1) are provided on the lower side (12) in regions corresponding to the peripheral regions of the recess (2).
(FR)Selon la présente invention, le suscepteur (1) plat destiné à des réacteurs de croissance épitaxiale est du type conçu pour être chauffé par induction et présente une face supérieure (11) et une face inférieure (12); au moins un enfoncement (2) conçu pour loger au moins un substrat correspondant (3) destiné à être soumis à une croissance épitaxiale est formé au niveau de la face supérieure (11); des enfoncements (4) permettant de réduire localement l'épaisseur du suscepteur (1) sont présents sur la face inférieure (12) dans des régions correspondant aux régions périphériques de l'enfoncement (2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)