WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003069027) PROCEDE ECOENERGETIQUE DE CROISSANCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069027    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/004360
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 13.02.2003
CIB :
C01B 33/035 (2006.01), C30B 25/00 (2006.01)
Déposants : ADVANCED SILICON MATERIALS LLC [US/US]; 3322 Road "N" N.E., Moses Lake, WA 98837-0258 (US) (Tous Sauf US).
WINTERTON, Lyle, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
HILL, John, Peter [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WINTERTON, Lyle, C.; (US).
HILL, John, Peter; (US)
Mandataire : POLLEY, Richard, J.; Klarquist Sparkman, LLP, One World Trade Center, Suite 1600, 121 SW Salmon Street, Portland, OR 97204 (US)
Données relatives à la priorité :
60/357,212 14.02.2002 US
Titre (EN) ENERGY EFFICIENT METHOD FOR GROWING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCEDE ECOENERGETIQUE DE CROISSANCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Abrégé : front page image
(EN)Polysilicon dendrites are grown by depositing silicon on a polysilicon rod or other substrate. Surface temperature is increased to a temperature at which needle-like dendrites (120) develop due to the deposition of silicon from silicon−containing molecules in the surrounding reactor atmosphere. Thereafter, the surface temperature is gradually reduced so that silicon that deposits on the needle−like (120) dendrites causes the dendrites to grow and assume a generally flared shape.
(FR)L'invention concerne des dendrites polysilicium dont la croissance est obtenue par dépôt de silicium sur un barreau de silicium ou un autre substrat. La température superficielle est augmentée pour parvenir à une température à laquelle les dendrites de type aiguille se développent, suite au dépôt de silicium provenant des molécules contenant du silicium, dans l'atmosphère du réacteur ambiante. Ensuite, la température superficielle est réduite progressivement, de sorte que le silicium qui se dépose sur les dendrites de type aiguille induise la croissance des dendrites et que ces derniers adoptent une forme de manière générale évasée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)