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1. (WO2003069016) PROCEDES DE DEPOT EN LIGNE PERMETTANT DE PRODUIRE DES CIRCUITS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/069016    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/001821
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 21.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.08.2003    
CIB :
C23C 14/04 (2006.01), C23C 14/56 (2006.01), G03F 7/12 (2006.01)
Déposants : 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center, Post Office Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US)
Inventeurs : BAUDE, Paul, F.; (US).
FLEMING, Patrick, R.; (US).
HAASE, Michael, A.; (US).
KELLEY, Tommie, W.; (US).
MUYRES, Dawn, V.; (US).
THEISS, Steven, D.; (US)
Mandataire : WEISS, Lucy, C.; Office of Intellectual Property Counsel, Post Office Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US).
VOSSIUS & PARTNER; Patentanwälte, P.O. Box 86 07 67, 81634 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10/076,005 14.02.2002 US
Titre (EN) IN-LINE DEPOSITION PROCESSES FOR CIRCUIT FABRICATION
(FR) PROCEDES DE DEPOT EN LIGNE PERMETTANT DE PRODUIRE DES CIRCUITS
Abrégé : front page image
(EN)In one embodiment, the invention is directed to aperture mask deposition techniques using aperture mask patterns formed in one or more elongated webs of flexible film. The techniques involve sequentially depositing material through mask patterns formed in the film to define layers, or portions of layers, of the circuit. A deposition substrate can also be formed from an elongated web, and the deposition substrate web can be fed through a series of deposition stations. Each deposition station may have an elongated web formed with aperture mask patterns. The elongated web of mask patterns feeds in a direction perpendicular to the deposition substrate web. In this manner, the circuit creation process can be performed in-line. Moreover, the process can be automated to reduce human error and increase throughput.
(FR)Dans un mode de réalisation, l'invention concerne des techniques de dépôt par masque perforé selon lesquelles des motifs de masque perforé sont formés dans une ou plusieurs bandes allongées de films souples. Ces techniques consistent entre autres à déposer de manière séquentielle une matière par formation de motifs de masque dans le film pour définir des couches ou des couches partielles du circuit. Un substrat de dépôt peut également être formé à partir d'une bande allongée, et la bande de substrat de dépôt passe à travers une série de stations de dépôt. Chaque station de dépôt peut comprendre une bande allongée formée au moyen de motifs de masque perforé. La bande allongée de motifs de masque se déplace dans une direction perpendiculaire à la bande de substrat de dépôt. Ainsi, le procédé de création de circuit peut s'effectuer en ligne. En outre, ce procédé peut être automatisé pour réduire l'erreur humaine et augmenter le débit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)