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1. (WO2003068868) PROCEDE DE PRODUCTION DE STRUCTURES PARALLELES PLANES DE SUBOXYDE DE SILICIUM, DE DIOXYDE DE SILICIUM ET/OU DE CARBURE DE SILICIUM, STRUCTURES PARALLELES PLANES OBTENUES PAR LEDIT PROCEDE ET LEURS UTILISATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/068868    N° de la demande internationale :    PCT/EP2003/001323
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 11.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.05.2003    
CIB :
C09C 1/00 (2006.01), C23C 14/00 (2006.01), C23C 14/02 (2006.01), C23C 14/10 (2006.01)
Déposants : CIBA SPECIALTY CHEMICALS HOLDING INC. [CH/CH]; Klybeckstrasse 141, CH-4057 Basel (CH) (Tous Sauf US).
WEINERT, Hilmar [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BUJARD, Patrice [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
HAINZ, Rüdiger [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WEINERT, Hilmar; (DE).
BUJARD, Patrice; (CH).
HAINZ, Rüdiger; (DE)
Représentant
commun :
CIBA SPECIALTY CHEMICALS HOLDING INC.; Patentabteilung, Klybeckstrasse 141, CH-4057 Basel (CH)
Données relatives à la priorité :
102 06 820.8 18.02.2002 DE
102 10 743.2 12.03.2002 DE
102 27 229.8 18.06.2002 DE
02405649.1 25.07.2002 EP
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING PLANE−PARALLEL STRUCTURES OF SILICON SUBOXIDE, SILICON DIOXIDE AND/OR SILICON CARBIDE, PLANE−PARALLEL STRUCTURES OBTAINABLE BY SUCH METHODS, AND THE USE THEREOF
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE STRUCTURES PARALLELES PLANES DE SUBOXYDE DE SILICIUM, DE DIOXYDE DE SILICIUM ET/OU DE CARBURE DE SILICIUM, STRUCTURES PARALLELES PLANES OBTENUES PAR LEDIT PROCEDE ET LEURS UTILISATIONS
Abrégé : front page image
(EN)A product produced in a PVD method is described, which consists of thin plane−parallel structures having a thickness in the range from 20 to 2000 nm and small dimensions in the range below one mm. Production is carried out by condensation of silicon suboxide onto a carrier passing by way of the vaporisers. The carrier is pre−coated, before condensation of the silicon suboxide, with a soluble, inorganic or organic separating agent in a PVD method. All steps, including that of detaching the product by dissolution, can be carried out continuously and simultaneously at different locations. As final step, the SiOy may be oxidised to SiO2 in an oxygen−containing gas at atmospheric pressure and temperatures of more than 200°C or SiOy may be converted to SiC at the surface of the plane−parallel structures in a carbon−containing gas at from 500°C to 1500°C. The products produced in that manner are distinguished by high uniformity of thickness.
(FR)L'invention concerne un produit fabriqué a dans un procédé PVD, ledit produit étant des structures parallèles planes minces présentant une épaisseur de l'ordre de 20 à 2000 nm et de petites dimensions inférieures ou égales à 1 mm. La production est réalisée par condensation de suboxyde de silicium sur une porteuse au moyen de vaporisateurs. Ladite porteuse est pré-couverte, avant la condensation du suboxyde de silicium, avec un agent de séparation organique ou inorganique dans un procédé PVD. Toutes les étapes, y compris celle de l'ablation du produit par dissolution, peuvent être réalisées de manière continue et simultanée sur différents endroits. L'étape finale consiste à oxydiser le SiOy en SiO2 dans un gaz contenant de l'oxygène à une pression atmosphérique et à des températures dépassant les 200 °C ou le SiOy peut être converti en SiC à la surface de structures parallèles planes dans un gaz contenant du carbone à une température comprise entre 500 et 1500 °C. lesdits produits fabriqués de cette manière se distinguent par une uniformité élevée de leur épaisseur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)