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1. (WO2003068672) FABRICATION DE CANAUX DE PROFONDEUR ULTRAFAIBLE POUR DES DISPOSITIFS ET DES SYSTEMES DE MICROFLUIDIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/068672    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/004228
Date de publication : 21.08.2003 Date de dépôt international : 12.02.2003
CIB :
B01F 5/06 (2006.01), B01F 13/00 (2006.01), B01J 19/00 (2006.01), B01L 3/00 (2006.01), B81B 1/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), G01N 30/60 (2006.01)
Déposants : KIONIX, INC. [US/US]; 36 Thornwood Drive, Ithaca, NY 14850 (US)
Inventeurs : MOON, James, E.; (US).
YOUNG, Lincoln, C.; (US)
Mandataire : RARING, Alexander, D.; Jones, Tullar & Cooper, P.C., P.O. Box 2266 Eads Station, Arlington, VA 22202 (US)
Données relatives à la priorité :
60/356,493 12.02.2002 US
10/366,087 12.02.2003 US
Titre (EN) FABRICATION OF ULTRA-SHALLOW CHANNELS FOR MICROFLUIDIC DEVICES AND SYSTEMS
(FR) FABRICATION DE CANAUX DE PROFONDEUR ULTRAFAIBLE POUR DES DISPOSITIFS ET DES SYSTEMES DE MICROFLUIDIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for etching an ultra-shallow channel includes using an etch process that is selective for one material with minimum etching of a different material in order to achieve a very precise channel depth in the different material. Channels as shallow as 10nm can be fabricated in silicon with precisions of 5nm or better using the method. Stepped channels can be fabricated where each segment is a different depth, with the segments being between 10nm and 1000nm in depth. The method is applied to creat a fluidic channel which includes a channel substrate to which is bonded a lid substrate to confine fluids to the fluidic channels so fabricated.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure de canal de profondeur ultrafaible consistant à utiliser un processus de gravure, sélectif concernant un matériau, afin de graver un autre matériau de façon à obtenir une profondeur très précise de canal dans cet autre matériau. Il est ainsi possible de fabriquer en silicium des canaux aussi peu profond que 10 nm avec des précisions de 5 nm ou mieux. Il est aussi possible de fabriquer des canaux étagés dans lesquels chaque segment est situé à une profondeur différente, ces segments pouvant se trouver à une profondeur comprise entre 10 nm et 1000 nm. Ce procédé est appliqué afin de créer un canal fluidique constitué d'un substrat de canal sur lequel est lié un substrat de couvercle afin de confiner les fluides dans le canal ainsi fabriqué.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)