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1. (WO2003067670) DISPOSITIF DE RECEPTION DE LUMIERE EN SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/067670    N° de la demande internationale :    PCT/KR2002/001932
Date de publication : 14.08.2003 Date de dépôt international : 16.10.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.08.2003    
CIB :
H01L 31/028 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/068 (2006.01), H01L 31/103 (2006.01)
Déposants : SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 442-742 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Eun-Kyung [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHOI, Byoung-Lyong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Jun-Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Eun-Kyung; (KR).
CHOI, Byoung-Lyong; (KR).
KIM, Jun-Young; (KR)
Mandataire : LEE, Young-Pil; The Cheonghwa Building, 1571-18 Seocho-dong, Seocho-gu, 137-874 Seoul (KR)
Données relatives à la priorité :
2002/7707 09.02.2002 KR
Titre (EN) SILICON LIGHT-RECEIVING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE RECEPTION DE LUMIERE EN SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A silicon light-receiving device is provided. In the device, a substrate is based on n-type or p-type silicon. A doped region is ultra-shallowly doped with the opposite type dopant to the dopant type of the substrate on one side of the substrate so that a photoelectric conversion effect for light in a wavelength range of 100-1100 nm is generated by a quantum confinement effect in the p-n junction with the substrate. First and second electrodes are formed on the substrate so as to be electrically connected to the doped region. Due to the ultra-shallow doped region on the silicon substrate, a quantum confinement effect is generated in the p-n junction. Even though silicon is used as a semiconductor material, the quantum efficiency of the silicon light-receiving device is far higher than that of a conventional solar cell, owing to the quantum confinement effect. The silicon light-receiving device can also be formed to absorb light in a particular or large wavelength band, and used as a solar cell.
(FR)L'invention concerne un dispositif de réception de lumière en silicium. Dans ce dispositif, un substrat est à base de silicium de type n ou de type p. Une zone dopée est ultra-faiblement dopée à l'aide d'un dopant du type opposé au type de dopant du substrat sur un côté du substrat, de sorte qu'un effet de conversion photoélectrique pour la lumière comprise dans une plage de longueur d'onde de 100 à 1100 nm est généré par un effet de confinement quantique dans la jonction p-n avec le substrat. Une première électrode et une seconde électrode sont formées sur le substrat de sorte à être électriquement reliées à la zone dopée. En raison de la zone ultra-faiblement dopée située sur le substrat en silicium, un effet de confinement quantique est généré dans la jonction p-n. Même si le silicium est utilisé en tant que matière semi-conductrice, l'efficacité quantique du dispositif de réception de lumière en silicium est bien plus grande que celle d'une pile solaire classique, en raison de l'effet de confinement quantique. Le dispositif de réception de lumière en silicium peut également être constitué pour absorber de la lumière dans une bande de longueur d'onde particulière ou large, et peut être utilisé en tant que pile solaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)