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1. (WO2003067663) CIRCUIT PHOTODETECTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/067663    N° de la demande internationale :    PCT/GB2002/000526
Date de publication : 14.08.2003 Date de dépôt international : 08.02.2002
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/0312 (2006.01), H01L 31/107 (2006.01)
Déposants : QINETIQ LIMITED [GB/GB]; Registered Office, 85 Buckingham Gate, London SW1E 6PD (GB) (Tous Sauf US).
MARSHALL, Gillian, Fiona [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
ROBBINS, David, John [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
LEONG, Weng, Yee [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
BIRCH, Steve, William [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : MARSHALL, Gillian, Fiona; (GB).
ROBBINS, David, John; (GB).
LEONG, Weng, Yee; (GB).
BIRCH, Steve, William; (GB)
Mandataire : WILLIAMS, A., S.; D/IP QinetiQ Formalities, Cody Technology Park, A4 Building Ively Road, Farnborough, Hampshire GU14 0LX (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PHOTODETECTOR CIRCUIT
(FR) CIRCUIT PHOTODETECTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A photodetector circuit incorporates an avalanche photodiode (APD) (300) produced by epitaxy on a CMOS substrate (302) with implanted n-well (304) and p-well (306). The n-well (304) has an implanted p+ guard ring (310) delimiting the APD (300). Within the guard ring (310) is an implanted n+ APD layer (312) upon which is deposited an epitaxial p+ APD layer (314), these layers forming the APD (300). The APD may be incorporated in an amplifier circuit (50) providing feedback to maintain constant bias voltage, and may include an SiGe absorption region to provide extended long wavelength response or lower avalanche voltage. Non-avalanche photodiodes may also be used.
(FR)L'invention concerne un circuit photodétecteur comportant une photodiode à avalanche (PDA) (300) produite par épitaxie sur un substrat CMOS (302) à puits n (304) et puits p (306) implantés. Le puits n (304) comprend un anneau de garde p+ (310) implanté, délimitant la photodiode (300). A l'intérieur de l'anneau de garde (310) se trouve une couche PDA n+ (312) implantée, sur laquelle est déposée une couche PDA p+ épitaxiale (314), ces deux couches formant la photodiode à avalanche (300). La photodiode à avalanche peut être intégrée dans un circuit amplificateur (50) fournissant une rétroaction pour maintenir une tension de polarisation constante et peut comprendre une zone d'absorption SiGe fournissant une réponse en longueur d'onde élargie ou une tension d'avalanche plus faible. Des photodiodes sans effet d'avalanche peuvent également être utilisées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)