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1. (WO2003067652) SYSTEME ET PROCEDE DE CONTROLE DE RESERVE REPONDANT A DES PARTICULES CHARGEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/067652    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/002415
Date de publication : 14.08.2003 Date de dépôt international : 27.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.09.2003    
CIB :
G01N 23/22 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS ISRAEL, LTD. [IL/IL]; 8 Oppenheimer Street, 76236 Rehovot (IL).
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : SENDER, Benzion; (IL).
DROR, Ophir; (IL).
EYTAN, Guy; (IL)
Mandataire : FAHMI, Tarek; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
60/354,260 04.02.2002 US
Titre (EN) A SYSTEM AND METHOD FOR INSPECTING CHARGED PARTICLE RESPONSIVE RESIST
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE CONTROLE DE RESERVE REPONDANT A DES PARTICULES CHARGEES
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus and method for scanning a pattern. The method includes: (i) directing a charged particle beam such as to interact with the pattern along a first scan path, and (ii) directing a beam such as to interact with the pattern along a second scan path. The pattern changes one of its characteristics as a result of an interaction with the beam. The distance between the first and the second scan paths may be bigger than the diameter of the charged electron beam. Each of the first and second scan paths may include a plurality of consecutive samples and the distance between the first and second scan paths may be bigger than a distance between adjacent samples. The location of scan paths may be changed between measurements and especially between measurement sessions. The charged particle beam may have an ellipsoid cross section.
(FR)L'invention concerne un appareil et un procédé de balayage d'un motif. Ledit procédé consiste (i) à diriger un faisceau de particules chargées de manière à interagir avec le motif le long d'une première trajectoire de balayage, et (ii) à diriger un faisceau de manière à interagir avec le motif le long d'une seconde trajectoire de balayage. Une des caractéristiques du motif change comme résultat d'une interaction avec le faisceau. La distance entre la première et la seconde trajectoire de balayage peut être supérieure au diamètre du faisceau électronique chargé. La première et la seconde trajectoire de balayage peuvent comprendre une pluralité d'échantillons consécutifs et la distance entre la première et la seconde trajectoire peut être supérieure à une distance entre des échantillons adjacents. L'emplacement des trajectoires de balayage peut changer entre les mesures et, en particulier, entre les sessions de mesure. Le faisceau de particules chargées peut comprendre une section transversale éllipsoïdale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)