WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003067645) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE D'ISOLATION DE ZONES DE CIRCUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/067645    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/003383
Date de publication : 14.08.2003 Date de dépôt international : 05.02.2003
CIB :
H01L 23/552 (2006.01)
Déposants : DAVIES, Robert, B. [US/US]; (US)
Inventeurs : DAVIES, Robert, B.; (US)
Mandataire : PARSONS, Robert, A.; 340 East Palm Lane, Suite 260, Phoenix, AZ 85004 (US)
Données relatives à la priorité :
10/072,775 08.02.2002 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF ISOLATING CIRCUIT REGIONS
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE D'ISOLATION DE ZONES DE CIRCUIT
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device (10) includes a semiconductor die (14) having first and second circuit regions (30, 32) formed on a first surface (24). The semiconductor die is housed in a semiconductor package (20) whose lid (40) is formed with a projection (67) that electrically contacts the first surface of the semiconductor die to shield the first circuit region from the second circuit region. Also, inactive components, such as a capacitor can be formed in lid (40).
(FR)L'invention concerne un dispositif semiconducteur (10) comprenant une puce de semiconduceur (14) constituée d'une première et d'une deuxième zone de circuit (30, 32) formées sur une première surface. Cette puce de semiconducteur est contenue dans un boîtier semiconducteur (20) dont le couvercle (40) comporte une saillie (67) qui vient en contact électrique avec la première surface de la puce de semiconducteur, de sorte à protéger la première zone de circuit de la deuxième zone de circuit. Des composants inactifs, tels qu'un condensateur, peuvent également être formés dans le couvercle (40).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)