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1. (WO2003067639) PROCEDE DE PRODUCTION DE CELLULE DE MEMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/067639    N° de la demande internationale :    PCT/DE2003/000183
Date de publication : 14.08.2003 Date de dépôt international : 23.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.08.2003    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
HOFMANN, Franz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LANDGRAF, Erhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LUYKEN, Hannes [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HOFMANN, Franz; (DE).
LANDGRAF, Erhard; (DE).
LUYKEN, Hannes; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734, 80007 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
102 04 873.8 06.02.2002 DE
Titre (DE) HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR SPEICHERZELLE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A MEMORY CELL
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE CELLULE DE MEMOIRE
Abrégé : front page image
(DE)Die NROM-Speicherzellen werden in Gräben angeordnet, die in das Halbleitermaterial geätzt werden. Die Speicherschicht aus einer Nitridschicht (3) zwischen Oxidschichten (2, 4) wird an den Grabenwänden aufgebracht, bevor die Dotierstoffe für Source und Drain (7) implantiert werden. Auf diese Weise wird erreicht, dass die hohe Temperaturbelastung des Bauelementes bei der Herstellung der Speicherschicht die Implantationsgebiete von Source und Drain nicht beeinträchtigen kann, da der betreffende Dotierstoff erst nachträglich eingebracht wird. Gate-Elektroden (5) aus Polysilizium werden mit Wortleitungen (11) angeschlossen.
(EN)The invention relates to NROM memory cells that are disposed in trenches that are etched into the semiconductor material. The memory layer composed of a nitride layer (3) that is interposed between two oxide layers (2, 4) is applied to the trench walls before the dopants for source and drain (7) are implanted. The implantation regions of source and drain are thus prevented from being damaged by the high temperature loads of the component during production of the memory layer as the respective dopant is introduced only later on. Polysilicon gate electrodes (5) are connected to word lines (11).
(FR)Selon l'invention, les cellules de mémoires NROM sont disposées dans des tranchées, gravées dans le matériau semi-conducteur. La couche de mémorisation à base d'une couche de nitrure (3) entre des couches d'oxyde (2, 4) est appliquée sur les parois des tranchées, avant que les matières de dopage pour la source et le drain (7) ne soient implantées. Ce système permet de parvenir à ce que la forte sollicitation thermique du composant lors de la fabrication de la couche de mémorisation ne puisse altérer les zones d'implantation de la source et du drain, la matière de dopage concernées n'étant introduite qu'ultérieurement. Les électrodes de grille (5) en polysilicium sont reliées à des lignes de mots (11).
États désignés : BR, CA, CN, IL, IN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)