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1. (WO2003067636) DISPOSITIF ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/067636    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/000457
Date de publication : 14.08.2003 Date de dépôt international : 21.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.06.2003    
CIB :
G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/687 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
NAGASEKI, Kazuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONISHI, Tadashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURAKAMI, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Daisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMIGORI, Akiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HONDA, Minoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGASEKI, Kazuya; (JP).
ONISHI, Tadashi; (JP).
MURAKAMI, Koichi; (JP).
HAYASHI, Daisuke; (JP).
KAMIGORI, Akiko; (JP).
HONDA, Minoru; (JP)
Mandataire : SUYAMA, Saichi; Kanda Higashiyama Bldg., 1, Kandata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0046 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-13412 22.01.2002 JP
2002-17404 25.01.2002 JP
2002-27147 04.02.2002 JP
2002-322182 06.11.2002 JP
Titre (EN) SURFACE TREATING DEVICE AND SURFACE TREATING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)Installed in a vacuum chamber (1) is a table (2) for supporting semiconductor wafer (W), which is a treatment subject substrate, with an electron beam irradiation mechanism (6) mounted on the ceiling of the vacuum chamber (1) for generating electron beams (EB). The table (2) is adapted to be vertically moved by a lifting/lowering device (3), allowing the distance between the electron beam irradiating mechanism (6) and the semiconductor wafer (W) to be set at a desired value. This makes it possible to effect a uniform satisfactory treatment over the entire surface of the treatment subject substrate.
(FR)L'invention concerne une chambre à vide (1) dans laquelle se trouve une table (2) pour supporter une tranche de semiconducteurs (W) soumise à un traitement, avec un mécanisme (6) de rayonnement de faisceaux électroniques, monté sur le plafond de ladite chambre (1) pour générer des faisceaux électroniques (EB). La table (2) est adaptée pour être déplacée dans le sens vertical par un dispositif de levage/abaissement (3) qui permet de régler la distance entre le mécanisme (6) de rayonnement de faisceaux électroniques et la tranche de semiconducteurs (W) à une valeur requise. Ce système permet d'effectuer un traitement satisfaisant uniforme sur la totalité de la surface du substrat soumis au traitement.
États désignés : CN, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)