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1. (WO2003067602) CIRCUIT MEMOIRE COMPOSITE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT CE CIRCUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/067602    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/001349
Date de publication : 14.08.2003 Date de dépôt international : 07.02.2003
CIB :
G11C 14/00 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
MORIYAMA, Katsutoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORI, Hironobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUKAZAKI, Hisanobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORIYAMA, Katsutoshi; (JP).
MORI, Hironobu; (JP).
TSUKAZAKI, Hisanobu; (JP)
Mandataire : UCHINO, Yoshihiro; Imaizumi Koporasu 1F, 4-26, Imaizumi 2-chome, Chuo-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka 810-0021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002/33166 08.02.2002 JP
Titre (EN) COMPOSITE STORAGE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME
(FR) CIRCUIT MEMOIRE COMPOSITE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT CE CIRCUIT
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device capable of high-speed write and read operations, providing a non-volatile composite storage circuit, thereby realizing an instant ON function/instant OFF function. Here, the composite storage circuit includes a storage circuit consisting of a volatile storage circuit and a non-volatile storage circuit connected in parallel and is configured in such a manner that the same information as the storage information in the volatile storage circuit is stored in the non-volatile storage circuit. Moreover, when the power supply to the volatile storage circuit is lowered, storage information of the volatile storage circuit is written into the non-volatile storage circuit. Furthermore, when power supply is resumed after service interruption or power supply lowering, the storage information of the non-volatile storage circuit is written back to the volatile storage circuit. The semiconductor device has such a composite storage circuit.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur capable d'opérations d'écriture ou de lecture ultra-rapides, comprenant un circuit mémoire composite rémanente et permettant ainsi de réaliser une fonction marche/arrêt instantanée. Dans un mode de réalisation, le circuit mémoire composite est constitué d'un circuit de mémoire non rémanente et d'un circuit de mémoire rémanente montés en parallèle. Il est configuré de manière que des données identiques aux données mémorisées dans la mémoire non rémanente sont mémorisées dans la mémoire rémanente. En outre lorsqu'une baisse de l'énergie d'alimentation de la mémoire rémanente se produit, les données mémorisées la mémoire non rémanente sont écrites dans la mémoire rémanente. Lorsque l'alimentation est rétablie après une interruption de service ou après une baisse de l'énergie d'alimentation, les données mémorisées dans la mémoire rémanente son réécrites dans la mémoire non rémanente. Le dispositif semi-conducteur décrit est équipé d'un tel circuit mémoire composite.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)