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1. (WO2003067329) COMPOSITIONS DE REVETEMENT ORGANIQUES ANTIREFLECHISSANTES POUR MICROLITHOGRAPHIE AVANCEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/067329    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/040074
Date de publication : 14.08.2003 Date de dépôt international : 13.12.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.08.2003    
CIB :
C08F 8/14 (2006.01), C08G 59/14 (2006.01), C08G 59/42 (2006.01), C08G 59/62 (2006.01), C08G 63/68 (2006.01), C08G 63/91 (2006.01), C08G 65/329 (2006.01), C09D 163/00 (2006.01), C09D 167/00 (2006.01), C09D 171/02 (2006.01), G03F 7/09 (2006.01)
Déposants : BREWER SCIENCE, INC. [US/US]; 2401 Brewer Drive, Rolla, MO 65401 (US)
Inventeurs : DESHPANDE, Shreeram, V.; (US)
Mandataire : BORNMAN, Tracy; Hovey Williams LLP, Suite 400, 2405 Grand Boulevard, Kansas City, MO 64108 (US)
Données relatives à la priorité :
10/062,790 01.02.2002 US
Titre (EN) ORGANIC ANTI−REFLECTIVE COATING COMPOSITIONS FOR ADVANCED MICROLITHOGRAPHY
(FR) COMPOSITIONS DE REVETEMENT ORGANIQUES ANTIREFLECHISSANTES POUR MICROLITHOGRAPHIE AVANCEE
Abrégé : front page image
(EN)New polymers and new anti−reflective compositions containing such polymers are provided. The compositions comprise a polymer (e.g., epoxy cresol novolac resins) bonded with a chromophore (4−hydroxybenzoic acid, trimellitic anhydride). The inventive compositions can be applied to substrates (e.g., silicon wafers) to form anti­reflective coating layers having high etch rates which minimize or prevent reflection during subsequent photoresist exposure and developing.
(FR)La présente invention concerne de nouveaux polymères et de nouvelles compositions antiréfléchissantes contenant lesdits polymères. Les compositions précitées comprennent un polymère (par ex., des résines époxy Crésol Novalac) liées à un chromophore (acide 4-hydroxybenzoïque, anhydride trimellitique). On peut appliquer les compositions de l'invention sur des substrats (par ex., des tranches de silicium) afin de former des couches de revêtement antiréfléchissantes possédant des vitesses de gravure élevées, qui permettent de minimiser ou empêcher la réflexion au cours de l'exposition et du développement ultérieurs du photorésist.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)