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1. (WO2003067240) CAPTEUR PERMETTANT LA DETECTION DE FAIBLES CONCENTRATIONS D'UN COMPOSANT CIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/067240    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/036493
Date de publication : 14.08.2003 Date de dépôt international : 13.11.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.06.2003    
CIB :
G01N 27/12 (2006.01), G01N 33/00 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 141 Spring Street, Lexington, MA 02421 (US)
Inventeurs : CHANDRA, Dipankar (nmi).; (US).
SYLLAIOS, Athanasios, J.; (US)
Mandataire : OAKS, Brian, W.; Baker Botts, L.L.P., 2001 Ross Avenue, Suite 600, Dallas, TX 75201-2980 (US)
Données relatives à la priorité :
10/006,891 13.11.2001 US
Titre (EN) SENSOR FOR DETECTING SMALL CONCENTRATIONS OF A TARGET MATTER
(FR) CAPTEUR PERMETTANT LA DETECTION DE FAIBLES CONCENTRATIONS D'UN COMPOSANT CIBLE
Abrégé : front page image
(EN)A sensor for detecting a target matter includes a chemical sensitive layer that is operable to react when exposed to the target matter and a piezoresistive material coupled to the chemical sensitive layer. The chemical sensitive layer is configured such that the reaction of the target matter with the chemical sensitive layer creates an interfacial tension at the interface of the chemical sensitive layer and the piezoresistive material that changes the electrical resistance of the piezoresistive material. However, the chemical sensitive layer is configured such that the reaction of the target matter with the chemical sensitive layer does not affect the bulk properties of the chemical sensitive layer enough to change the electrical resistance of the piezoresistive material. The sensor also includes an electrical circuit coupled to the piezoresistive material that is operable to detect the change in the electrical resistance of the piezoresistive material due to the interfacial tension.
(FR)L'invention concerne un capteur permettant la détection d'un composant cible. Ce capteur comprend une couche chimiosensible qui réagit lorsqu'elle est exposée au composant cible, et un matériau piézorésistif couplé à la couche chimiosensible. La couche chimiosensible est conçue de telle manière que la réaction du composant cible avec la couche chimiosensible génère une tension interfaciale au niveau de l'interface entre la couche chimiosensible et le matériau piézorésistif, et modifie ainsi la résistance électrique du matériau piézorésistif. Toutefois, cette couche chimiosensible est conçue de manière que la réaction du produit cible avec la couche chimiosensible n'affecte pas les propriétés volumiques de la couche chimiosensible dans une mesure suffisante pour modifier la résistance électrique du matériau piézorésistif. Le capteur comprend en outre un circuit électrique couplé au matériau piézorésistif, ce circuit servant à détecter la modification de résistance électrique du matériau piézorésistif causé par la tension interfaciale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)