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1. (WO2003066540) PROCEDE POUR APPLIQUER UN REVETEMENT SUR UN BRULEUR A QUARTZ D'UNE LAMPE A DECHARGE A HAUTE INTENSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/066540    N° de la demande internationale :    PCT/EP2003/000827
Date de publication : 14.08.2003 Date de dépôt international : 28.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.07.2003    
CIB :
C03C 17/34 (2006.01), H01J 61/35 (2006.01)
Déposants : SCHOTT AG [DE/DE]; Hattenbergstrasse 10, 55122 Mainz (DE) (Tous Sauf US).
MÖHL, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BEWIG, Lars [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KÜPPER, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MARING, Wolfram [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MOELLE, Christoph [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MÖHL, Wolfgang; (DE).
BEWIG, Lars; (DE).
KÜPPER, Thomas; (DE).
MARING, Wolfram; (DE).
MOELLE, Christoph; (DE)
Mandataire : FUCHS, Jürgen, H.; Söhnleinstrasse 8, 65201 Wiesbaden (DE)
Données relatives à la priorité :
102 04 363.9 02.02.2002 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM BESCHICHTEN EINES QUARZBRENNERS EINER HID−LAMPE
(EN) METHOD FOR COATING THE QUARTZ BURNER OF AN HID LAMP
(FR) PROCEDE POUR APPLIQUER UN REVETEMENT SUR UN BRULEUR A QUARTZ D'UNE LAMPE A DECHARGE A HAUTE INTENSITE
Abrégé : front page image
(DE)Um die Energiebilanz der HID−Lampe zu erhöhen, sieht die Erfindung eine Beschichtung des Quarzbrenners mit einem UV−reflektierenden Schichtsystem, vorzugsweise auf dessen Innenseite vor, und zwar durch alternierendes Aufbringen von amorphen Dünnschichten aus mindestens Titanoxid und Silizimoxid in der allgemeinen Stöchiometrie TiOy und SiOx mittels eines PICVD−Verfahrens mit hoher Leistungsdichte und erhöhten Substrat−Temperaturen im Bereich von 100° − 400° C mit kleinen Aufwuchsraten im Bereich von 1 nm/sec − 100 nm/sec zu einem Interferenz−Schichtsystem mit einer Dicke von unter 1200 nm und einem minimierten UV−wirksamen Fehlstellenanteil im Bereich von 0,1 % bis 1 %.
(EN)In order to improve the energy balance of an HID lamp, the quartz burner, preferably the inside thereof, is coated with a UV reflecting layer system by alternatingly applying amorphous thin layers made at least of titanium oxide and silicon oxide having the respective general stoichiometry TiOy and SiOx by means of a plasma impulse chemical vapor deposition (PICVD) method at a high power density and increased substrate temperatures ranging from 100° to 400° C, using small growth rates ranging from 1 nm/sec to 100 nm/sec so as to form an interference layer system having a thickness of less than 1200 nm and a minimized UV-active defective spot rate ranging from 0.1 to 1 percent.
(FR)L'objectif de la présente invention est d'augmenter le bilan énergétique d'une lampe à décharge à haute intensité. A cette fin, le brûleur à quartz est pourvu, de préférence sur sa face interne, d'un revêtement présentant un système de couches qui réfléchit les rayonnements ultraviolets, par application alternée de couches minces amorphes constituées au moins d'oxyde de titane et d'oxyde de silicium, selon la stoechiométrie universelle TiOy et SiOx, à l'aide d'un procédé de dépôt en phase vapeur par plasma pulsé (plasma impulse chemical vapor deposition : PICVD) avec une densité de puissance élevée et des températures de substrat augmentées dans la plage 100° - 400 °C, à de faibles taux de croissance allant de 1 nm/sec à 100 nm/sec, afin de former un système de couches d'interférence présentant une épaisseur inférieure à 1200 nm et une proportion minimisée de défauts à action par rapport aux rayonnements ultraviolets, située dans la plage allant de 0,1 à 1 %.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)