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1. (WO2003065526) STRUCTURE DE PUITS QUANTIQUE, ELEMENT SEMICONDUCTEUR DANS LEQUEL ELLE EST UTILISEE, ET PROCEDE DE PRODUCTION DE L'ELEMENT SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065526    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/000976
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 31.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    31.01.2003    
CIB :
H01S 5/34 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (Tous Sauf US).
FUTAGAWA, Noriyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUTAGAWA, Noriyuki; (JP)
Mandataire : HAMADA, Haruo; Wisdom House, 4-12, Minami-Aoyama 3-chome, Minato-ku, Tokyo 107-0062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-24685 31.01.2002 JP
Titre (EN) QUANTUM WELL STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING IT AND PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) STRUCTURE DE PUITS QUANTIQUE, ELEMENT SEMICONDUCTEUR DANS LEQUEL ELLE EST UTILISEE, ET PROCEDE DE PRODUCTION DE L'ELEMENT SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor element excellent in luminous efficiency which sufficiently eliminates the effect of a piezo-electric field with the crystallinity of an active layer well retained. A quantum well active layer has a laminated structure in which a barrier layer undoped region (In0.02Ga0.98N layer 702), a quantum well layer (undoped In0.2Ga0.8N layer 703) and a barrier layer n-type region (n-type In0.02Ga0.98N layer 701) are formed in this order. The Si concentration of a barrier layer n-type region is up to 5E18cm-3.
(FR)La présente invention concerne un élément semiconducteur d'une excellente efficacité lumineuse qui permet d'éliminer de manière suffisante l'effet d'un champ piézo-électrique tout en préservant de façon satisfaisante la cristallinité de la couche active. Selon l'invention, une couche active de puits quantique possède une structure laminée dans laquelle sont formées, dans l'ordre : une région non dopée de couche barrière (couche In0,02Ga0,98N 702), une couche de puits quantique (couche non dopée In0,2Ga0,8N 703) et une région de couche barrière de type n (couche de type n In0,02Ga0,98N 701). La concentration en Si de la région de couche barrière de type n s'élève à 5E18cm-3.
États désignés : CN, DE, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)