WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003065467) SUPRACONDUCTEUR A MICROSTRUCTURE OPTIMISEE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE SUPRACONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065467    N° de la demande internationale :    PCT/IB2002/000343
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 29.01.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.07.2003    
CIB :
H01L 39/14 (2006.01), H01L 39/24 (2006.01)
Déposants : MANNHART, Jochen, Dieter [DE/DE]; (DE)
Inventeurs : MANNHART, Jochen, Dieter; (DE)
Mandataire : BARTH, Carl, Otto; Barth & Partner, Zürichstrasse 34, CH-8134 Adliswil (CH)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUPERCONDUCTOR WITH OPTIMIZED MICROSTRUCTURE AND METHOD FOR MAKING SUCH A SUPERCONDUCTOR
(FR) SUPRACONDUCTEUR A MICROSTRUCTURE OPTIMISEE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE SUPRACONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The present invention concerns the improvement of the supercurrent carrying capabilities, i.e. the increase of critical current densities, of polycrystalline superconductor structures, especially of high-$i(T¿c?)superconductors. By modifying the microstructure of the substrate or by appropriately influencing the buffer layers in coated conductors to obtain grains with large aspect ratios which are predominantly oriented along the direction of the current flow, grain boundaries with large areas are obtained in the polycrystalline superconducting film that can support large critical currents along the superconductor. Thereby large critical currents are obtained in the superconductor for a given spread of misorientation angles of the grains.
(FR)La présente invention porte sur l'amélioration apportée aux capacités de supraconduction, à savoir l'augmentation de la densité des courants critiques, des structures polycristallines supraconductrices, notamment des supraconducteurs à indice $i(Tc) élevé. En modifiant la microstructure du substrat ou en influençant de manière appropriée les couches tampon de conducteurs gainés pour obtenir des grains à facteurs de forme larges qui sont orientés principalement dans le sens de l'écoulement de courant, on obtient des limites de grain à aires e surface de grande dimension dans le film supraconducteur cristallin qui peut supporter de grands courants critiques le long du supraconducteur. On peut ainsi obtenir de grands courants critiques dans le supraconducteur pour une étendue donnée de désorientation des angles des grains.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)