WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003065465) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE PHOSPHURE DE BORE, SON PROCEDE DE FABRICATION, DIODE ELECTROLUMINESCENTE ET COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE PHOSPHURE DE BORE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065465    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/000798
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 28.01.2003
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01), H01L 29/201 (2006.01), H01L 33/02 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8518 (JP) (Tous Sauf US).
UDAGAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMASHITA, Tamotsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UDAGAWA, Takashi; (JP).
YAMASHITA, Tamotsu; (JP)
Mandataire : FUKUDA, Kenzo; Kashiwaya Bldg. 2F, 6-13, Nishishinbashi, 1-Chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-18188 28.01.2002 JP
2002-26271 04.02.2002 JP
60/356,756 15.02.2002 US
60/356,738 15.02.2002 US
Titre (EN) BORON PHOSPHIDE−BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, PRODUCTION METHOD THEREOF, LIGHT−EMITTING DIODE AND BORON PHOSPHIDE−BASED SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE PHOSPHURE DE BORE, SON PROCEDE DE FABRICATION, DIODE ELECTROLUMINESCENTE ET COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE PHOSPHURE DE BORE
Abrégé : front page image
(EN)A boron phosphide−based semiconductor device enhanced in properties includes a substrate (11) composed of a {111}−Si single crystal having a surface of {111} crystal plane and a boron phosphide−based semiconductor layer formed on the surface of the substrate and composed of a polycrystal layer (12) that is an aggregate of a plurality of triangular pyramidal single crystal entities (13) of the boron phosphide−based semiconductor crystal, wherein each single crystal entity has a twining interface that forms an angle of 60° relative to a <110> crystal direction of the substrate.
(FR)Composant à semi-conducteur à base de phosphure de bore possédant des propriétés améliorées et consistant en un substrat (11) composé d'un monocristal de silicium {111} présentant une surface plane revêtue d'une couche de semi-conducteur à base de phosphure de bore et consistant en une couche polycristalline (12) constituant un agrégat d'une pluralité d'entités monocristallines pyramidales triangulaires (13) du cristal semi-conducteur à base de phosphure de bore, chaque entité monocristalline possédant une interface de liaison formant un angle de 60° par rapport à l'orientation <110> des cristaux du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)