WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003065463) DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES A FILM FIN ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065463    N° de la demande internationale :    PCT/GB2003/000310
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 27.01.2003
CIB :
H01L 31/07 (2012.01)
Déposants : SHEFFIELD HALLAM UNIVERSITY [GB/GB]; City Campus, Howard Street, Sheffield S1 1WB (GB) (Tous Sauf US).
DHARMADASA BANDA, Imyhamy, Mudiyanselage [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
CHAURE, Nandu, Bhanudas [IN/GB]; (GB) (US Seulement).
SAMANTILLEKE, Anura, Priyajith [LK/GB]; (GB) (US Seulement).
YOUNG, John [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : DHARMADASA BANDA, Imyhamy, Mudiyanselage; (GB).
CHAURE, Nandu, Bhanudas; (GB).
SAMANTILLEKE, Anura, Priyajith; (GB).
YOUNG, John; (GB)
Mandataire : HULSE, Thomas, Graham; Sheffield Hallam University, Enterprise Center, Unit 6, Science Park, City Campus, Howard Street, Sheffield S1 1WB (GB)
Données relatives à la priorité :
0202007.1 29.01.2002 GB
Titre (EN) THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHODS OF MAKING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES A FILM FIN ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating a thin film photovoltaic device comprises the steps of: configuring an n-type, wide band gap thin film window substrate layer of semiconductor material; on the substrate layer, depositing a thin film of an n-type semiconductor photon absorber compound from the set of compounds comprising: (i) Class II B element, of the Periodic Table of Elements, and Group VI element containing compounds; and (ii) Group III element and Group V element containing compounds; configuring a pre-defined model of the device being fabricated, in which, the photon absorber layer is affixed to a back metal contact, an n-n heterojunction is present within the device, a large Schottky barrier is required at the metal-photon absorber film interface and the photon absorber layer remains substantially n-type rather than undergoing type conversion from n-type to p-type; b. in accordance with the model, treating the photon absorber layer to specifically increase the n-type electrical conduction; c. affixing a back metal contact to the photon absorber layer; and treating the device to specifically create a large Schottky barrier at the interface between the metal contact and the photon absorber layer, The method is suitable for manufacturing high efficiency solar cells such as CdS/CdTe, GaN/GaAs or InN/InP based systems.
(FR)L'invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque à film fin, comprenant les étapes consistant : à configurer une couche substrat fenêtre à film fin et à large bande interdite de type n, formée d'un matériau semi-conducteur ; à déposer, sur la couche substrat, un film fin d'un composé d'absorption de photons semi-conducteur de type n, sélectionné parmi l'ensemble de composés comprenant : (i) des composés contenant un élément de la classe II B du tableau périodique des éléments, et un élément du groupe VI, et (ii) des composés contenant des éléments du groupe III et du groupe V. Le procédé est caractérisé en ce qu'il comprend également les étapes consistant : (a) à configurer un modèle prédéfini du dispositif en cours de fabrication, dans lequel la couche d'absorption de photons est appliquée sur un contact repos métallique, le dispositif contient une hétérojonction n-n, une grande barrière de Schottky est nécessaire au niveau de l'interface de film d'absorption métal-photons, et la couche d'absorption de photons reste sensiblement de type n plutôt que de subir une conversion de type pour passer du type n au type p ; (b) à traiter, conformément au modèle, la couche d'absorption de photons, pour augmenter de manière spécifique la conduction électrique de type n ; (c) à appliquer ledit contact repos métallique sur la couche d'absorption de photons ; et (d) à traiter le dispositif pour créer de manière spécifique une grande barrière de Schottky au niveau de l'interface entre le contact métallique et la couche d'absorption de photons, en bloquant le niveau de Fermi de la couche d'absorption de photons en-dessous du minimum de bande de conduction, et près du maximum de bande de valence. Ledit procédé convient à la fabrication de cellules solaires à haute efficacité, telles que des systèmes CdS/CdTe, GaN/GaAs ou InN/InP.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)