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1. (WO2003065449) SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET LEUR PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065449    N° de la demande internationale :    PCT/EP2002/014107
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 12.12.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.04.2003    
CIB :
H01L 23/433 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01), H01L 25/11 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01), H05K 1/18 (2006.01)
Déposants : PAPST-MOTOREN GMBH & CO KG [DE/DE]; Hermann-Papst-Strasse 1, 78112 St. Georgen (DE) (Tous Sauf US).
HORNBERGER, Jörg [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PFAFF, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HORNBERGER, Jörg; (DE).
PFAFF, Andreas; (DE)
Mandataire : RAIBLE & RAIBLE; Schoderstrasse 10, 70192 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
202 01 415.0 30.01.2002 DE
Titre (DE) LEISTUNGS-HALBLEITER, UND VERFAHEN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) POWER SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET LEUR PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(DE)Ein Leistungs-Halbleiter (1) hat ein Gehäuse (2) mit einer ersten Gehäuseseite (5) und einer dieser gegenüber liegenden zweiten Gehäuseseite (6). Die erste Gehäuseseite (5) ist mit einem Kühlkörper (4) zur Ableitung von Verlustwärme versehen. Die zweite Gehäuseseite (6) definiert eine Fluchtungsebene (12). Ferner hat der Leistungs-Halbleiter (1) Anschlusselemente (3), die aus dem Gehäuse (2) herausragen und in Richtung zur zweiten Gehäuseseite (6) so abgebogen sind, dass sie über die Fluchtungsebene (12) der zweiten Gehäuseseite (6) hinausragen, und welche an ihrem Endbereich (11) jeweils für eine SMD-Bestückung einer Leiterplatte (13) ausgebildet sind.
(EN)The invention relates to a power semiconductor (1) which comprises a housing (2) with a first housing side (5) and an opposite second housing side (6). The first housing side (5) is provided with a cooling body (4) for removing dissipated heat. The second housing side (6) defines an alignment plane (12). The semiconductor (1) is further provided with connecting elements (3) that project from the housing (2) and that are bent in the direction towards the second housing side (6) in such a manner that they project beyond the alignment plane (12) of the second housing side (6). In their terminal regions (11), said connecting elements are adapted to receive SMD components of a printed board (13).
(FR)L'invention concerne un semi-conducteur de puissance (1) comportant un boîtier (2) comprenant une première face (5) et une deuxième face (6) opposée à la première face. La première face (5) du boîtier est dotée d'un corps de refroidissement (4) destiné à l'évacuation de la chaleur de dissipation. La deuxième face (6) définit un plan d'alignement (12). Le semi-conducteur de puissance (1) comprend également des éléments de connexion (3) qui émergent du boîtier (2) et sont coudés en direction de la deuxième face (6) de manière à dépasser le plan d'alignement (12) de la deuxième face (6). La zone terminale (11) de ces éléments de connexion est conçue pour l'équipement SMD d'une carte de circuits imprimés (13).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)