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1. (WO2003065440) PROCEDE PERMETTANT D'AGENCER DES STRUCTURES DE SILICIUM LES UNES SUR LES AUTRES ET AGENCEMENT A CET EFFET
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065440    N° de la demande internationale :    PCT/SE2003/000119
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 23.01.2003
CIB :
H01L 25/065 (2006.01)
Déposants : STRAND INTERCONNECT AB [SE/SE]; Box 15, S-602 09 Norrköping (SE) (Tous Sauf US).
EKSTRÖM, Björn [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : EKSTRÖM, Björn; (SE)
Mandataire : ÖRTENBLAD, Bertil; Noréns Patentbyrå AB, Box 10198, S-100 55 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
0200297-0 01.02.2002 SE
Titre (EN) METHOD TO ARRANGE SILICON STRUCTURES ON TOP OF EACH OTHER AND ARRANGEMENT HEREFOR
(FR) PROCEDE PERMETTANT D'AGENCER DES STRUCTURES DE SILICIUM LES UNES SUR LES AUTRES ET AGENCEMENT A CET EFFET
Abrégé : front page image
(EN)A method of superposing silicon structures with an intermediate layer between two mutually adjacent silicon structures. The invention is characterised by using a silicon substrate as the intermediate layer (2) and by providing the silicon substrate with a conductor pattern (1) and by connecting the silicon substrates (3, 6) on both sides of an intermediate layer (2) to the conductor pattern (1) on the intermediate layer (2).
(FR)La présente invention concerne un procédé de superposition de structures de silicium avec une couche intermédiaire placée entre deux structures de silicium contiguës. Cette invention se caractérise en ce qu'elle utilise un substrat de silicium comme couche intermédiaire (2), en ce qu'elle dote ce substrat de silicium d'un tracé conducteur (1) et en ce qu'elle connecte les substrats de silicium (3, 6) des deux côtés d'une couche intermédiaire (2) au tracé conducteur (1) présent sur cette couche intermédiaire
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : suédois (SV)