WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003065439) PLAQUETTE EPITAXIALE EN SILICIUM ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065439    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/000345
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 17.01.2003
CIB :
H01L 21/322 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (Tous Sauf US).
TAKENO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKENO, Hiroshi; (JP)
Mandataire : ISHIHARA, Shoji; No.302, Wakai Bldg., 7-8, Higashi-Ikebukuro 3-chome, Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-16663 25.01.2002 JP
Titre (EN) SILICON EPITAXIAL WAFER AND ITS PRODUCTION METHOD
(FR) PLAQUETTE EPITAXIALE EN SILICIUM ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A silicon epitaxial wafer having an excellent IG capability over its whole surface and a method for producing the same. The concentration of oxygen precipitates found in a silicon single crystal wafer after the epitaxial growing is 1 × 109/cm3 in any region in the surface of the wafer.
(FR)L'invention concerne une plaquette épitaxiale en silicium présentant une excellente capacité IG sur toute sa surface, et un procédé de production de cette plaquette. La teneur en précipités d'oxygène trouvée dans une plaquette à cristal unique de silicium après la croissance épitaxiale est de 1 x 109/cm3 dans une région quelconque de la surface de la plaquette.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)