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1. (WO2003065437) PROCEDE ET DISPOSITIF DE FORMATION, EN UNE SEULE ETAPE DE TRAITEMENT, DE COUCHES D'OXYDES DE HAUTE QUALITE DE DIFFERENTES EPAISSEURS.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065437    N° de la demande internationale :    PCT/IB2003/000136
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 20.01.2003
CIB :
H01L 21/8234 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
LOO, Josine, J., G., P. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
PONOMAREV, Youri [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
SCHAIJK, Robertus, T., F. [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : LOO, Josine, J., G., P.; (NL).
PONOMAREV, Youri; (NL).
SCHAIJK, Robertus, T., F.; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Philips Intellectual Property & Standards, Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
02075425.5 01.02.2002 EP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING HIGH QUALITY OXIDE LAYERS OF DIFFERENT THICKNESS IN ONE PROCESSING STEP
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE FORMATION, EN UNE SEULE ETAPE DE TRAITEMENT, DE COUCHES D'OXYDES DE HAUTE QUALITE DE DIFFERENTES EPAISSEURS.
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for forming high quality oxide layers of different thickness over a first and a second semiconductor region in one processing step. The method comprises the steps of: a) doping the first and the second semiconductor region with a different dopant concentration, and b) oxidising, during the same processing step, both the first and the second semiconductor region under a temperature between 500°C and 700°C, preferably between 500°C and 650° C. A corresponding device is also provided. Using a low-temperature oxidation in combination with high doping levels results in an unexpected oxidation rateincrease.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation, en une seule étape de traitement, de couches d'oxydes de haute qualité de différentes épaisseurs sur une première et une seconde régions à semi-conducteur. Ledit procédé consiste à doper la première et la seconde régions à semi-conducteur avec une concentration de dopant différente, et à oxyder, lors de la même étape de traitement, les deux première et seconde régions, à une température située entre 500 °C et 700 °C, de préférence entre 500 °C et 650 °C. L'invention concerne également un dispositif correspondant. L'utilisation d'une oxydation basse température combinée à des niveaux de dopage élevés produit une augmentation inattendue du taux d'oxydation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)