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1. (WO2003065435) PROCEDE DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065435    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/000998
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 31.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.08.2003    
CIB :
H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
YAMASHITA, Asao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIGUCHI, Fumihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ENOMOTO, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMASHITA, Asao; (JP).
HIGUCHI, Fumihiko; (JP).
ENOMOTO, Takashi; (JP)
Mandataire : KAMEYA, Yoshiaki; HAZUKI INTERNATIONAL YOTSUYA, Daiichi Tomizawa Building, 1-3, Yotsuya 3-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-26015 01.02.2002 JP
Titre (EN) ETCHING METHOD
(FR) PROCEDE DE GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)A method for plasma etching a polysilicon film on a gate oxide film formed on a silicon substrate by introducing processing gas into an airtight processing chamber comprising a main etching step for etching the polysilicon film in the depth direction of an opening made in a mask pattern serving as a mask by applying a high-frequency power to the upper and lower electrodes, and an overetching step for removing the residual part of the polysilicon film following the main etching step, wherein the polysilicon film is etched until a part of the gate oxide film is exposed by lowering the high-frequency power being applied to the upper electrode down to a specified level or below in the middle of the main etching step. Anisotropy in the profile can be improved while enhancing the selection ratio of etching and total etching rate can be prevented from lowering.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant la gravure au plasma d'une couche de silicium polycristallin sur une couche d'oxyde de grille formée sur un substrat de silicium, par l'introduction d'un gaz de traitement dans une chambre de traitement étanche à l'air. Ce procédé comprend une étape de gravure principale permettant de graver la couche de silicium polycristallin dans le sens la profondeur d'une ouverture formée dans un motif servant de masque, par l'application d'une énergie haute-fréquence aux électrodes supérieures et inférieures, et une étape de gravure secondaire permettant d'éliminer les parties résiduelles de la couche de silicium polycristallin après l'étape de gravure principale, et consistant à graver la couche de silicium polycristallin jusqu'à ce qu'une partie de la couche d'oxyde de grille soit exposée en abaissant l'énergie haute-fréquence appliquée à l'électrode supérieur jusqu'à un niveau prédéterminé ou en dessous d'un niveau prédéterminé, au milieu de l'étape de gravure principale. Ce procédé permet d'améliorer l'anisotropie du profil tout en augmentant le rapport de sélection de la gravure et en empêchant une réduction de la vitesse de gravure.
États désignés : CN, JP, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)