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1. (WO2003065429) PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE COMPOSE GAN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065429    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/011772
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 12.11.2002
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01)
Déposants : NIKKO MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8407 (JP) (Tous Sauf US).
SASAKI, Shinichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAMURA, Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SASAKI, Shinichi; (JP).
NAKAMURA, Masashi; (JP).
SATO, Kenji; (JP)
Mandataire : ARAFUNE, Hiroshi; 5F, Nikko Kagurazaka Building, 18, Iwato-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 162-0832 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-17929 28.01.2002 JP
Titre (EN) GaN COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL MAKING METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE COMPOSE GAN
Abrégé : front page image
(EN)A method for growing a GaN compound semiconductor crystal on the surface of a substrate which is a rare−earth group XIII (IIIB) perovskite crystal containing one or more rare earth elements, wherein the thickness of the substrate is 250 µm or less and the stress exerted by the substrate on the GaN thick−film crystal is decreased by the difference in the coefficient of thermal expansion.
(FR)L'invention concerne un procédé de grossissement de cristal semi-conducteur à base de composé GaN sur la surface d'un substrat constitué d'un cristal de pérovskite du groupe XIII (IIIB) de terre rare contenant un ou plusieurs éléments de terre rare, dans lequel l'épaisseur du substrat est de 250 $g(m)m ou moins et la contrainte exercée par le substrat sur le cristal à couche épaisse de GaN est diminuée par la différence de coefficient de dilatation thermique.
États désignés : CA, CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)