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1. (WO2003065419) GRAVURE AU PLASMA DE MATERIAUX CONTENANT DU NICKEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065419    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/000049
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 28.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.07.2003    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
CHEN, Lee [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Lee; (US)
Mandataire : CASEY, Michael, R.; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C., 1940 Duke Street, Alexandria, VA 22314 (US)
Données relatives à la priorité :
60/352,206 29.01.2002 US
Titre (EN) PLASMA ETCHING OF NI−CONTAINING MATERIALS
(FR) GRAVURE AU PLASMA DE MATERIAUX CONTENANT DU NICKEL
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus and method are described for etching Ni−containing films using gas phase plasma etching. Etching of Ti−Ni alloys is carried out by exposure to plasma comprising hydrogen halide (HX) and carbonyl etching gases. The Ti in the Ti−Ni alloy is etched via an ion−assisted reaction with HX and the Ni is etched by reacting with CO. The method is particularly well suited for anisotropic etching of Ti− Ni metal gates for CMOS applications. Etching of Ni−Fe layers is carried out by exposure to plasma comprising a carbonyl etching gas.
(FR)La présente invention concerne un appareil et un procédé permettant la gravure de films contenant du nickel au moyen d'une gravure au plasma en phase gazeuse. On effectue la gravure d'alliages de titane et du nickel par une exposition au plasma comprenant de l'halogénure d'hydrogène et des gaz de gravure carbonylés. Le titane se trouvant dans l'alliage titane/nickel est gravé par l'intermédiaire d'une réaction assistée par ions avec l'halogénure d'hydrogène et le nickel est gravé par la réaction avec le CO. Le procédé est particulièrement approprié pour la gravure anisotrope de grilles métalliques en Ti/Ni pour des applications de MOS complémentaires. La gravure des couches Ni/Fe est effectuée par l'exposition au plasma comprenant un gaz de gravure carbonylé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)