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1. (WO2003065418) PHOTODIODE A AVALANCHE PLANAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065418    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/003323
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 03.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.08.2003    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 31/0328 (2006.01), H01L 31/072 (2006.01), H01L 31/109 (2006.01)
Déposants : PICOMETRIX, INC. [US/US]; 2925 Boardwalk, Ann Arbor, MI 48104 (US) (Tous Sauf US).
KO, Cheng, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
LEVINE, Barry [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KO, Cheng, C.; (US).
LEVINE, Barry; (US)
Mandataire : SOSENKO, Eric, J.; Brinks Hofer Gilson & Lione, P.O. Box 10087, Chicago, IL 60610 (US)
Données relatives à la priorité :
60/353,530 01.02.2002 US
60/353,765 01.02.2002 US
Titre (EN) PLANAR AVALANCHE PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE A AVALANCHE PLANAIRE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention includes a planar avalanche photodiode (10) having a first n-type semiconductor layer (28) defining a planar contact area, and a second n-type semiconductor layer (16) having a p-type diffusion region (14). Further features of the structure include an n-type semiconductor multiplication layer (24), an n-type semiconductor absorption layer (20), and a p-type contact layer (12). Further embodiments include a planar avalanche photodiode (210) having a first n-type semiconductor layer (28) defining a planar contact area, an n-type semiconductor multiplication layer (24), an n-type semiconductor absorption layer (20) and a p-type semiconductor layer (32) electrically coupled to a p-type contact layer (12).
(FR)L'invention concerne une photodiode à avalanche planaire qui comprend une première couche semiconductrice de type n dotée d'une surface de contact planaire, et une seconde couche semiconductrice de type N dotée d'une région de diffusion de type p. D'autres caractéristiques de la structure comprennent une couche de multiplication semiconductrice de type n, une couche d'absorption semiconductrice de type n, et une couche de contact de type p. D'autres modes de réalisation concernent une photodiode à avalanche planaire comprenant une première couche semiconductrice de type n dotée d'une surface de contact planaire, une couche de multiplication semiconductrice de type n, une couche d'absorption semiconductrice de type n et une couche semiconductrice de type p couplée électriquement à une couche de contact de type p.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)