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1. (WO2003065092) FILM MINCE POUR APPLICATIONS OPTIQUES, STRUCTURE EMETTRICE DE LUMIERE UTILISANT LEDIT FILM MINCE, ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/065092    N° de la demande internationale :    PCT/KR2003/000206
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 29.01.2003
CIB :
H01S 3/063 (2006.01), H01S 3/16 (2006.01)
Déposants : LUXPERT TECHNOLOGIES CO., LTD. [KR/KR]; 130-508 San, 56-1 Shillim-dong, Kwanak-gu, Seoul 151-742 (KR) (Tous Sauf US).
SHIN, Jung-Hoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SEO, Se-Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HAN, Hak-Seung [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : SHIN, Jung-Hoon; (KR).
SEO, Se-Young; (KR).
HAN, Hak-Seung; (KR)
Mandataire : HUH, Jin-Seok; 304 Yeongshin Bldg., 832-3 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2002-0005140 29.01.2002 KR
Titre (EN) THIN FILM FOR OPTICAL APPLICATIONS, LIGHT-EMITTING STRUCTURE USING THE SAME AND THE FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) FILM MINCE POUR APPLICATIONS OPTIQUES, STRUCTURE EMETTRICE DE LUMIERE UTILISANT LEDIT FILM MINCE, ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CE DERNIER
Abrégé : front page image
(EN)Thin film for optical applications, light-emitting structure using the same and the fabrication method thereof are disclosed. The present invention provides a silica or silica-related thin film for optical applications in which silicon nanoclusters and rare earth elements are co-doped. The average size of the silicon nanoclusters is less than 3nm and the concentration of the rare earth elements is less than 0.1 atomic %. The ratio of the rare earth element concentration to that of silicon nanoclusters is controlled to range from 1 to 10 in the thin film. The thin film emits light by exciting the rare earth elements through electron-hole recombinations in the silicon nanoclusters. According to the present invention, the conditions such as the size and concentration of the silicon nanoclusters, the concentration of the rare earth element, and their concentration ratio are specifically optimized to fabricate optical devices with better performance.
(FR)L'invention concerne un film mince pour des applications optiques, une structure émettrice de lumière utilisant ledit film mince, et un procédé de production de ce dernier. Ce film mince constitué partiellement ou entièrement de silice, destiné à des applications optiques, présente des nanoagrégats de silicium et des éléments des terres rares qui sont co-dopés. La taille moyenne des nanoagrégats de silicium est inférieure à 3 nm et la concentration des éléments des terres rares est inférieure à 0,1 % at. Le rapport entre la concentration d'éléments des terres rares et celle des nanoagrégats de silicium est régulé de façon à se situer entre 1 et 10 dans le film mince. Ce dernier émet de la lumière par excitation des éléments des terres rares par l'intermédiaire de recombinaisons de trous dans les nanoagrégats de silicium. Selon l'invention, les conditions telles que la taille et la concentration des nanoagrégats de silicium, la concentration des éléments des terres rares et le rapport de concentrations sont optimisées de façon à permettre la production de dispositifs optiques présentant des caractéristiques améliorées.
États désignés : CA, CN, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)